相变电存储薄膜测试方法研究
| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 研究背景 | 第8-9页 |
| 1.2 相变存储器与材料 | 第9-11页 |
| 1.3 相变存储器及材料的测试方法与系统 | 第11-14页 |
| 1.4 本论文的研究目的和章节安排 | 第14-16页 |
| 第2章 高温光电特性测试系统 | 第16-38页 |
| 引言 | 第16-17页 |
| 2.1 系统的测试原理 | 第17-21页 |
| 2.1.1 电特性测试原理 | 第17-19页 |
| 2.1.2 光特性测试原理 | 第19-20页 |
| 2.1.3 温度控制原理 | 第20-21页 |
| 2.2 系统的硬件平台 | 第21-25页 |
| 2.2.1 方块电阻测试硬件电路设计 | 第21-24页 |
| 2.2.2 光电测试硬件构成 | 第24-25页 |
| 2.3 系统的软件设计 | 第25-31页 |
| 2.3.1 软件界面 | 第26-28页 |
| 2.3.2 方块电阻测试模块 | 第28-30页 |
| 2.3.3 温控和光电检测模块 | 第30-31页 |
| 2.4 系统的评定与测试 | 第31-36页 |
| 2.4.1 系统的性能评定 | 第32-35页 |
| 2.4.2 GST薄膜的光电特性测试 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小节 | 第36-38页 |
| 第3章 半导体测试系统及样品制备 | 第38-44页 |
| 引言 | 第38页 |
| 3.1 样品的制备 | 第38-40页 |
| 3.1.1 基片的选择和清洗 | 第38-39页 |
| 3.1.2 磁控溅射 | 第39-40页 |
| 3.2 半导体测试系统 | 第40-42页 |
| 3.3 GST薄膜测试结构 | 第42-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 相变薄膜电特性测试方法分析 | 第44-60页 |
| 引言 | 第44页 |
| 4.1 直流I-V特性测试与分析 | 第44-47页 |
| 4.2 脉冲I-V特性测试与分析 | 第47-50页 |
| 4.3 脉冲R-V特性测试与分析 | 第50-57页 |
| 4.3.1 GST薄膜的晶化R-V特性 | 第50-52页 |
| 4.3.2 GST薄膜的非晶化R-V特性 | 第52-56页 |
| 4.3.3 GST薄膜的积累性操作测试 | 第56-57页 |
| 4.4 GST薄膜测试的异常曲线分析 | 第57-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-60页 |
| 第5章 总结和展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 个人简历和研究成果 | 第70页 |
