| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| 1.1 引言 | 第11页 |
| 1.2 二维MoS_2的基本性质 | 第11-13页 |
| 1.2.1 二维MoS_2的晶体结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 二维MoS_2的能带结构 | 第12-13页 |
| 1.3 MoS_2的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.3.1 微机械剥离法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 锂离子插层法 | 第14页 |
| 1.3.3 溶剂剥离法 | 第14-15页 |
| 1.3.4 热分解法 | 第15页 |
| 1.3.5 硫化Mo金属层制备法 | 第15-16页 |
| 1.3.6 化学气相沉积法 | 第16页 |
| 1.4 MoS_2薄膜的应用 | 第16-18页 |
| 1.4.1 场效应晶体管 | 第16-17页 |
| 1.4.2 光电探测器 | 第17页 |
| 1.4.3 太阳能电池 | 第17页 |
| 1.4.4 谷电子学应用 | 第17-18页 |
| 1.4.5 气敏传感器 | 第18页 |
| 1.5 本文选题依据及研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 实验方案设计与样品表征方法 | 第21-29页 |
| 2.1 引言 | 第21页 |
| 2.2 实验试剂及设备 | 第21-24页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第21-22页 |
| 2.2.2 实验设备 | 第22-24页 |
| 2.3 实验工艺流程 | 第24-26页 |
| 2.3.1 衬底的清洗 | 第24页 |
| 2.3.2 磁控溅射法辅助CVD法制备MoS_2薄膜 | 第24-25页 |
| 2.3.3 化学气相沉积法制备MoS_2薄膜 | 第25-26页 |
| 2.4 样品表征与测试所需仪器 | 第26-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射仪 | 第26页 |
| 2.4.2 扫描电子显微镜和能谱仪 | 第26-27页 |
| 2.4.3 光学显微镜 | 第27页 |
| 2.4.4 拉曼光谱仪 | 第27页 |
| 2.4.5 光致发光光谱仪 | 第27页 |
| 2.4.6 原子力显微镜 | 第27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 磁控溅射辅助CVD法制备单层MoS_2薄膜及表征 | 第29-41页 |
| 3.1 概述 | 第29页 |
| 3.2 不同工艺参数制备单层MoS_2薄膜的研究 | 第29-39页 |
| 3.2.1 溅射功率对制备MoS_2薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 溅射压强对制备MoS_2薄膜的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 Ar流速对制备MoS_2薄膜的影响 | 第35-37页 |
| 3.2.4 溅射时间对制备MoS_2薄膜的影响 | 第37-39页 |
| 3.3 本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 化学气相沉积法制备单层MoS_2薄膜及表征 | 第41-59页 |
| 4.1 概述 | 第41页 |
| 4.2 化学气相沉积法制备MoS_2薄膜的研究 | 第41-52页 |
| 4.2.1 MoS_2薄膜的成膜原理与实验准备 | 第41-42页 |
| 4.2.2 Mo源浓度对制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第42-44页 |
| 4.2.3 S与MoO3间距对于制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第44-47页 |
| 4.2.4 生长温度对于制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第47-49页 |
| 4.2.5 生长时间对于制备单层MoS_2薄膜的影响 | 第49-52页 |
| 4.3 氯化钾辅助制备MoS_2薄膜的研究 | 第52-55页 |
| 4.4 苝-3,4,9,10-四羧酸二酐辅助制备MoS_2薄膜的研究 | 第55-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 单层MoS_2薄膜增强光致发光性能的研究 | 第59-71页 |
| 5.1 概述 | 第59页 |
| 5.2 不同工艺对MoS_2薄膜光致发光性能研究 | 第59-70页 |
| 5.2.1 空气中退火对MoS_2薄膜光致发光的影响 | 第60-62页 |
| 5.2.2 使用NiO对MoS_2薄膜光致发光影响 | 第62-70页 |
| 5.3 本章小结 | 第70-71页 |
| 第六章 总结与展望 | 第71-73页 |
| 6.1 工作总结 | 第71-72页 |
| 6.2 工作展望 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-81页 |
| 攻读硕士期间取得的学术成果 | 第81-83页 |
| 致谢 | 第83-84页 |
