| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 绪论 | 第8-27页 |
| 1.1 引言 | 第8-11页 |
| 1.2 石墨烯的结构与性质 | 第11-16页 |
| 1.2.1 石墨烯的结构 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯的性质 | 第12-16页 |
| 1.3 石墨烯的制备方法 | 第16-20页 |
| 1.3.1 剥离法 | 第17页 |
| 1.3.2 碳化硅外延生长法 | 第17-18页 |
| 1.3.3 氧化还原法 | 第18-20页 |
| 1.3.4 化学气相沉积法(CVD) | 第20页 |
| 1.4 石墨烯的应用前景 | 第20-25页 |
| 1.4.1 超级电容器 | 第21页 |
| 1.4.2 锂电池 | 第21-22页 |
| 1.4.3 储氢材料 | 第22-24页 |
| 1.4.4 透明电极 | 第24页 |
| 1.4.5 复合材料 | 第24-25页 |
| 1.5 本课题研究内容与创新处 | 第25-27页 |
| 1.5.1 研究内容 | 第25页 |
| 1.5.2 论文创新点 | 第25-27页 |
| 第2章 制备与表征 | 第27-36页 |
| 2.1 引言 | 第27页 |
| 2.2 CVD法制备石墨烯的生长机制 | 第27-29页 |
| 2.3 石墨烯的表征方法 | 第29-36页 |
| 2.3.1 扫描电子显微镜(SEM) | 第29-31页 |
| 2.3.2 透射电子显微镜(TEM) | 第31-33页 |
| 2.3.3 原子力显微镜(AFM) | 第33-34页 |
| 2.3.4 拉曼光谱(Raman spectra) | 第34-36页 |
| 第3章 石墨烯的CVD制备及工艺研究 | 第36-50页 |
| 3.1 引言 | 第36-37页 |
| 3.2 试剂与仪器设备 | 第37-38页 |
| 3.3 CVD生长装置 | 第38-39页 |
| 3.4 铜箔上CVD制备石墨烯的过程 | 第39-43页 |
| 3.4.1 铜箔预处理 | 第39-41页 |
| 3.4.2 CVD石墨烯生长过程 | 第41-42页 |
| 3.4.3 石墨烯的转移过程 | 第42-43页 |
| 3.5 常压CVD石墨烯生长参数的探究 | 第43-48页 |
| 3.5.1 生长温度对石墨烯生长的影响 | 第43-45页 |
| 3.5.2 甲烷流量对石墨稀生长的影响 | 第45-47页 |
| 3.5.3 氢气流量对石墨烯生长的影响 | 第47-48页 |
| 3.6 本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 常压CVD制备圆形石墨烯及其表征 | 第50-61页 |
| 4.1 引言 | 第50-51页 |
| 4.2 圆形石墨烯的制备 | 第51-52页 |
| 4.3 实验结果及讨论 | 第52-59页 |
| 4.3.1 圆形石墨烯的表征 | 第52-56页 |
| 4.3.2 常压下石墨烯形貌的转变过程及其机理讨论 | 第56-59页 |
| 4.4 本章小结 | 第59-61页 |
| 第5章 低压CVD石墨烯的形态控制研究 | 第61-69页 |
| 5.1 前言 | 第61页 |
| 5.2 田径场状石墨烯的制备 | 第61-62页 |
| 5.3 实验结果及讨论 | 第62-68页 |
| 5.3.1 田径场状石墨烯的表征 | 第62-64页 |
| 5.3.2 低压下石墨烯形貌的转变过程及其机理讨论 | 第64-66页 |
| 5.3.3 低压下氢气对石墨稀的蚀刻作用 | 第66-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第6章 结论与展望 | 第69-72页 |
| 6.1 结论 | 第69-70页 |
| 6.2 展望 | 第70-72页 |
| 6.2.1 今后工作 | 第70-71页 |
| 6.2.2 展望未来 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第80-81页 |
