| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-37页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 阻变存储器概述 | 第12-16页 |
| 1.3 高密度阻变存储器面临的问题及解决方法 | 第16-19页 |
| 1.4 选通器件概述 | 第19-20页 |
| 1.5 选通器件的研究现状 | 第20-34页 |
| 1.5.1 硅基选通器件 | 第20-23页 |
| 1.5.2 氧化物基连续转变型选通器件 | 第23-25页 |
| 1.5.3 阈值转变选通器件 | 第25-34页 |
| 1.6 研究意义与主要研究内容 | 第34-37页 |
| 第2章 阈值选通器件的制备方法与表征手段 | 第37-47页 |
| 2.1 阈值选通器件的制备 | 第37-44页 |
| 2.1.1 仅上电极图形化的“三明治”结构 | 第37-41页 |
| 2.1.2 通孔结构 | 第41-44页 |
| 2.2 电学性能测试与微观结构表征 | 第44-47页 |
| 2.2.1 电学性能测试 | 第44-45页 |
| 2.2.2 微观结构表征 | 第45-47页 |
| 第3章 ZrO_2基单向阈值选通器件研究 | 第47-59页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 薄膜厚度与电极尺寸对阈值转变特性的影响 | 第48-54页 |
| 3.2.1 ZrO_2基单向阈值选通器件的设计与制备 | 第48页 |
| 3.2.2 薄膜厚度对阈值转变特性的影响 | 第48-52页 |
| 3.2.3 金属电极尺寸对阈值转变特性的影响 | 第52页 |
| 3.2.4 优化后的阈值选通器件的电学性能 | 第52-54页 |
| 3.3 上电极材料对阈值转变特性的影响 | 第54-56页 |
| 3.3.1 器件的设计与制备 | 第54页 |
| 3.3.2 不同活性金属电极的阈值转变特性 | 第54-56页 |
| 3.4 Ti插入层对阈值转变特性的影响 | 第56-57页 |
| 3.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第4章 ZrO_2基双向阈值选通器件研究 | 第59-71页 |
| 4.1 引言 | 第59-60页 |
| 4.2 基于编程操作的双向阈值转变特性研究 | 第60-61页 |
| 4.2.1 单向阈值特性向双向阈值特性的转变 | 第60-61页 |
| 4.2.2 双向阈值选通器件的电学特性 | 第61页 |
| 4.3 基于退火处理的双向阈值转变特性研究 | 第61-69页 |
| 4.3.1 器件设计与制备 | 第61-62页 |
| 4.3.2 退火温度和时间对阈值转变特性的影响 | 第62-65页 |
| 4.3.3 双向阈值选通器件的电学性能 | 第65-66页 |
| 4.3.4 选通器件的释放时间测试 | 第66-67页 |
| 4.3.5 双向阈值转变机制 | 第67-69页 |
| 4.4 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 非晶硅基单向阈值选通器件研究 | 第71-79页 |
| 5.1 引言 | 第71页 |
| 5.2 非晶硅阈值选通器件研究 | 第71-78页 |
| 5.2.1 器件的设计与制备 | 第71-72页 |
| 5.2.2 非晶硅基器件的整流特性研究 | 第72-73页 |
| 5.2.3 阈值选通器件的转变机制 | 第73-75页 |
| 5.2.4 选通器件的电学性能 | 第75-76页 |
| 5.2.5 薄膜厚度对阈值转变行为的影响 | 第76-78页 |
| 5.3 本章小节 | 第78-79页 |
| 第6章 阈值选通器件与阻变存储器的集成 | 第79-99页 |
| 6.1 引言 | 第79页 |
| 6.2 forming-free型阻变存储器研究 | 第79-87页 |
| 6.2.1 氧空位对ZrO_2基阻变存储器forming过程的影响 | 第80-83页 |
| 6.2.2 Cu插入层对A1_2O_3基RRAM阻变特性的影响 | 第83-87页 |
| 6.3 双向阈值选通器件和双极型阻变存储器件的集成 | 第87-94页 |
| 6.3.1 双极型阻变器件的电学特性 | 第87-88页 |
| 6.3.2 1S-1R器件的制备和电学性能 | 第88-91页 |
| 6.3.3 读取窗口的计算 | 第91-94页 |
| 6.4 单向阈值选通器件和双极型阻变存储器件的集成 | 第94-96页 |
| 6.4.1 双极型阻变器件的电学特性 | 第94页 |
| 6.4.2 1S-1R器件的制备和电学性能 | 第94-96页 |
| 6.5 本章小结 | 第96-99页 |
| 第7章 结论与展望 | 第99-103页 |
| 参考文献 | 第103-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第117页 |
