| 摘要 | 第4-6页 |
| abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 分子电子学 | 第10-11页 |
| 1.2 石墨烯 | 第11-12页 |
| 1.3 氮掺杂石墨烯 | 第12-16页 |
| 1.4 小结 | 第16-17页 |
| 第二章 电子输运理论和研究方法 | 第17-31页 |
| 2.1 电子结构计算 | 第17-23页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer近似和Hartree-Fock方程 | 第17-20页 |
| 2.1.2 密度泛函理论 | 第20-23页 |
| 2.1.2.1 Hohenberg-Kohn定理 | 第21-22页 |
| 2.1.2.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.2 常见的交换相关泛函 | 第23-26页 |
| 2.2.1 局域密度近似泛函(LDA) | 第24-25页 |
| 2.2.2 广义梯度近似泛函(GGA) | 第25-26页 |
| 2.3 量子输运理论 | 第26-29页 |
| 2.3.1 格林函数方法 | 第27-28页 |
| 2.3.2 非平衡态格林函数方法 | 第28-29页 |
| 2.4 计算步骤与计算软件 | 第29-31页 |
| 第三章 边缘氮掺杂对石墨烯纳米带的电子输运性质的影响 | 第31-44页 |
| 3.1 引言 | 第31-33页 |
| 3.2 建模与电子结构计算 | 第33-34页 |
| 3.3 能带分析 | 第34-38页 |
| 3.4 输运特性分析 | 第38-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 基于FeN4-ZGNR的高电流极化率和负微分效应 | 第44-59页 |
| 4.1 引言 | 第44-45页 |
| 4.2 建模与电子结构计算 | 第45-47页 |
| 4.3 能带分析 | 第47-48页 |
| 4.4 输运特性分析 | 第48-57页 |
| 4.5 本章小结 | 第57-59页 |
| 第五章 全文总结 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-70页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第70页 |
