| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 IGZO（铟镓锌氧）化合物的介绍 | 第10-12页 |
| 1.2.1 IGZO的发现 | 第10-11页 |
| 1.2.2 IGZO的结构特点 | 第11页 |
| 1.2.3 IGZO的导电机理 | 第11-12页 |
| 1.3 薄膜晶体管的工程原理 | 第12-14页 |
| 1.4 氧化物TFT的发展史 | 第14-15页 |
| 1.5 IGZO-TFT薄膜晶体管的研究现状 | 第15-17页 |
| 1.6 本文研究的目的和主要内容 | 第17-18页 |
| 第二章 薄膜的制备方法与表征技术 | 第18-29页 |
| 2.1 薄膜的制备方法 | 第18-21页 |
| 2.1.1 分子束外延 | 第18页 |
| 2.1.2 化学气相沉积 | 第18-19页 |
| 2.1.3 磁控溅射法 | 第19-20页 |
| 2.1.4 激光脉冲沉积法 | 第20页 |
| 2.1.5 溶胶-凝胶法 | 第20-21页 |
| 2.2 磁控溅射设备的工作原理 | 第21-22页 |
| 2.3 薄膜的表征与测试 | 第22-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第23-24页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜（SEM） | 第24-25页 |
| 2.3.3 X射线光电子能谱(XPS) | 第25页 |
| 2.3.4 台阶仪 | 第25-26页 |
| 2.4 薄膜晶体管（TFT）的性能参数 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 IGZO-TFT的制备和工艺参数的讨论 | 第29-45页 |
| 3.1 TFT的常用结构 | 第29页 |
| 3.2 IGZO的薄膜制备方法 | 第29-31页 |
| 3.2.1 基片的清洗 | 第29-30页 |
| 3.2.2 磁控溅射设备的使用 | 第30-31页 |
| 3.3 TFT源漏电极的制备 | 第31页 |
| 3.4 IGZO薄膜的测试和分析 | 第31-33页 |
| 3.4.1 IGZO薄膜晶体结构的表征 | 第32-33页 |
| 3.4.2 IGZO薄膜的透光率测试 | 第33页 |
| 3.5 IGZO-TFT各种制备工艺的探讨 | 第33-43页 |
| 3.5.1 退火气氛对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第34-37页 |
| 3.5.2 退火温度对IGZO-TFT器件性能的影响 | 第37-39页 |
| 3.5.3 薄膜厚度对IGZO-TFT器件的影响 | 第39-41页 |
| 3.5.4 沟道W/L对TFT器件的影响 | 第41-43页 |
| 3.6 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 对IGZO-TFT器件性能的改进 | 第45-58页 |
| 4.1 电极材料对IGZO薄膜晶体管的影响 | 第45-48页 |
| 4.2 制备透明的IGZO-TFT器件 | 第48-52页 |
| 4.2.1 透明IGZO-TFT制备工艺 | 第48-49页 |
| 4.2.2 SiNx与SiO2分别作为IGZO-TFT绝缘层 | 第49-52页 |
| 4.3 对制备的IGZO-TFT器件的分析 | 第52-56页 |
| 4.3.1 退火对器件性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.3.2 IGZO-TFT器件的均一性和稳定性测试 | 第55-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 第五章 结论 | 第58-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-68页 |
| 攻硕期间取得的成果 | 第68-69页 |
