| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 前言 | 第10-11页 |
| 1.2 热电基础理论 | 第11-16页 |
| 1.2.1 塞贝克效应 | 第12页 |
| 1.2.2 帕尔贴效应 | 第12-13页 |
| 1.2.3 汤姆逊效应 | 第13页 |
| 1.2.4 Kelvin关系 | 第13页 |
| 1.2.5 能斯特效应和艾廷豪森效应 | 第13-14页 |
| 1.2.6 热电优值 | 第14-16页 |
| 1.3 热电材料的应用 | 第16页 |
| 1.4 热电材料和器件的研究现状 | 第16-22页 |
| 1.4.1 碲化铋基合金 | 第16-18页 |
| 1.4.2 碲化铅基合金 | 第18页 |
| 1.4.3 硅锗合金 | 第18页 |
| 1.4.4 金属氧化物 | 第18-19页 |
| 1.4.5 方钴矿类材料 | 第19-20页 |
| 1.4.6 低维热电材料 | 第20-21页 |
| 1.4.7 热电器件的研究进展 | 第21-22页 |
| 1.5 课题的主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 热电测试设备搭建 | 第24-35页 |
| 2.1 设备搭建原理 | 第24-30页 |
| 2.1.1 塞贝克系数测量原理 | 第24-25页 |
| 2.1.2 电导率测量原理 | 第25-27页 |
| 2.1.3 薄膜材料块体化处理 | 第27-30页 |
| 2.2 设备结构 | 第30-31页 |
| 2.3 设备测试步骤 | 第31-33页 |
| 2.4 设备运行监测 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 电化学沉积法制备p型Bi_2Te_3薄膜 | 第35-48页 |
| 3.1 前言 | 第35页 |
| 3.2 研究方法 | 第35-39页 |
| 3.2.1 实验材料及仪器 | 第35-36页 |
| 3.2.2 实验测试与制备条件 | 第36-38页 |
| 3.2.3 电沉积基底的制作 | 第38页 |
| 3.2.4 电解液成分 | 第38-39页 |
| 3.3 薄膜的表征和性能测试 | 第39-40页 |
| 3.3.1 X射线衍射谱(XRD) | 第39页 |
| 3.3.2 薄膜表面形貌观测和成分测定 | 第39页 |
| 3.3.3 薄膜厚度的测量 | 第39-40页 |
| 3.3.4 塞贝克系数和电导率测量 | 第40页 |
| 3.4 电化学沉积溶液循环伏安曲线分析 | 第40-43页 |
| 3.4.1 纯铋体系循环伏安曲线分析 | 第40-41页 |
| 3.4.2 纯碲体系的循环伏安曲线分析 | 第41-42页 |
| 3.4.3 二元Bi-Te溶液体系的循环伏安曲线分析 | 第42-43页 |
| 3.5 沉积电位对Bi_2Te_3薄膜晶体结构和形貌的影响 | 第43-45页 |
| 3.6 沉积电位对Bi_2Te_3薄膜热电性能的影响 | 第45-47页 |
| 3.7 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章磁控共溅射法制备n型Bi_2Te_3薄膜 | 第48-61页 |
| 4.1 前言 | 第48-49页 |
| 4.2 薄膜材料的制备 | 第49-52页 |
| 4.2.1 射频磁控共溅射法 | 第49-50页 |
| 4.2.2 溅射设备介绍 | 第50-51页 |
| 4.2.3 基片清洗 | 第51页 |
| 4.2.4 薄膜制备工艺及流程 | 第51-52页 |
| 4.2.5 测试设备 | 第52页 |
| 4.3 TE靶沉积功率对Bi_2Te_3薄膜成分和热电性能的影响 | 第52-55页 |
| 4.4 退火温度对化学计量比BI2TE3薄膜成分和热电性能的影响 | 第55-59页 |
| 4.5 本章小结 | 第59-61页 |
| 第五章 结语 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-70页 |
| 攻读硕士期间取得的成果 | 第70-71页 |
