| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 典型液晶空间光调制器 | 第12-14页 |
| 1.1.1 硫化镉空间光调制器 | 第12页 |
| 1.1.2 氢化非晶硅/铁电液晶(a-Si：H/FLC)调制器 | 第12-13页 |
| 1.1.3 BSO空间光调制器 | 第13-14页 |
| 1.2 液晶空间光调制器的应用 | 第14页 |
| 1.3 国内外研究现状和发展态势 | 第14-16页 |
| 1.4 论文研究内容及意义 | 第16-18页 |
| 第二章 液晶空间光调制器的理论分析 | 第18-29页 |
| 2.1 空间光调制器设计实现基本结构 | 第18-22页 |
| 2.1.1 开关比 | 第20页 |
| 2.1.2 分辨率 | 第20-21页 |
| 2.1.3 灵敏度 | 第21-22页 |
| 2.1.4 响应速度 | 第22页 |
| 2.2 液晶空间光调制器功能层理论分析 | 第22-24页 |
| 2.2.1 光敏层的制备 | 第22-23页 |
| 2.2.2 吸收层的制备 | 第23页 |
| 2.2.3 高反膜介质镜原理 | 第23-24页 |
| 2.3 表征方法介绍 | 第24-27页 |
| 2.3.1 紫外可见光透射光谱 | 第24-25页 |
| 2.3.3 椭圆偏振光法 | 第25-26页 |
| 2.3.4 傅里叶红外吸收光谱 | 第26-27页 |
| 2.3.5 电导率测试法 | 第27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-29页 |
| 第三章 光敏层氢化非晶硅薄膜的制备 | 第29-56页 |
| 3.1 氢化非晶硅薄膜沉积方法及生长机理 | 第29-35页 |
| 3.1.1 PECVD沉积 | 第29-30页 |
| 3.1.2 PECVD法镀膜特点 | 第30-35页 |
| 3.2 氢化非晶硅薄膜掺杂及微观测试 | 第35-39页 |
| 3.3 影响薄膜沉积的参数 | 第39-44页 |
| 3.3.1 射频功率 | 第39-41页 |
| 3.3.2 流量 | 第41-42页 |
| 3.3.3 压强 | 第42-43页 |
| 3.3.4 衬底温度 | 第43-44页 |
| 3.4 光学性能 | 第44-48页 |
| 3.4.1 掺杂量与折射率的关系 | 第45-46页 |
| 3.4.2 掺杂量与消光系数 | 第46-47页 |
| 3.4.3 掺杂量与禁带宽度 | 第47-48页 |
| 3.5 电学性能 | 第48-50页 |
| 3.5.1 掺杂浓度对氢化非晶硅暗电阻率的影响 | 第48-49页 |
| 3.5.2 掺杂浓度对光暗电导比值的影响 | 第49-50页 |
| 3.6 非晶硅傅里叶红外谱测试 | 第50-52页 |
| 3.7 非晶硅可见光谱测试 | 第52-54页 |
| 3.7.1 透过率测试 | 第52-54页 |
| 3.7.2 薄膜吸收值的测试 | 第54页 |
| 3.8 本章小结 | 第54-56页 |
| 第四章 液晶空间光调制器的制备及测试 | 第56-65页 |
| 4.1 液晶 | 第56-57页 |
| 4.2 各个膜层的工艺参数 | 第57-63页 |
| 4.2.1 光吸收层的制备 | 第57-59页 |
| 4.2.2 高反射率介质镜的制备 | 第59-61页 |
| 4.2.3 液晶盒取向层的制备 | 第61-63页 |
| 4.3 液晶空间光调制器的测试 | 第63-64页 |
| 4.4 本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 总结与展望 | 第65-67页 |
| 5.1 工作总结 | 第65-66页 |
| 5.2 工作展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 攻读硕士期间研究成果 | 第72页 |