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SiGe HBT超宽带低噪声放大器的研究与设计

摘要第3-4页
Abstract第4页
第一章 绪论第12-18页
    1.1 研究的意义第12-13页
    1.2 SiGe HBT 技术的发展与现状第13-16页
        1.2.1 SiGe HBT 的优势第13-14页
        1.2.2 Si 晶体管与 SiGe 晶体管的区别第14-16页
    1.3 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器应用第16页
    1.4 论文的主要工作第16-17页
    1.5 论文的组织结构第17-18页
第二章 SiGe HBT 的 DC 和小信号模型第18-34页
    2.1 晶体管模型概述第18页
    2.2 SiGe HBT 的 DC 模型第18-22页
        2.2.1 Ebers-Moll 模型第19-20页
        2.2.2 Gummel-Poon 模型第20-22页
    2.3 SiGe HBT 的小信号特性与建模第22-30页
        2.3.1 小信号模型第22-23页
        2.3.2 SiGe HBT 集总 Y 参数第23-27页
        2.3.3 SiGe HBT 集总 Z 参数第27-30页
    2.4 小信号模型参数分析第30-32页
        2.4.1 集电结电容 C_μ第30-31页
        2.4.2 发射结电容 C_π第31页
        2.4.3 基极电阻 r_b第31页
        2.4.4 发射极电阻 r_e第31-32页
        2.4.5 跨导 g_m第32页
    2.5 小结第32-34页
第三章 SiGe HBT 噪声模型及 LNA 噪声理论研究第34-46页
    3.1 SiGe HBT 噪声模型第34-35页
    3.2 二端口网络噪声分析第35-40页
        3.2.1 噪声系数第36-37页
        3.2.2 噪声相关矩阵第37-38页
        3.2.3 最小噪声系数分析第38-40页
    3.3 单管 SiGe HBT LNA 噪声特性分析第40-44页
        3.3.1 独立噪声源在输出端的噪声贡献第40-42页
        3.3.2 噪声系数计算第42-44页
    3.4 小结第44-46页
第四章 超宽带低噪声放大器电路的分析与设计第46-74页
    4.1 超宽带低噪声放大器的性能指标分析第46-53页
        4.1.1 S 参数第46-47页
        4.1.2 增益和增益平坦度第47-49页
        4.1.3 噪声特性第49页
        4.1.4 增益,噪声因子和系统灵敏度的关系第49-50页
        4.1.5 工作带宽第50页
        4.1.6 线性度第50-53页
    4.2 超宽带低噪声放大器结构的选取第53-56页
        4.2.1 超宽带低噪声放大器基本结构第53-55页
        4.2.2 电路结构的选取第55-56页
    4.3 输入级电路的分析与设计第56-64页
        4.3.1 晶体管直流偏置的确定第57-61页
        4.3.2 输入匹配设计第61-62页
        4.3.3 并联峰值电感第62-63页
        4.3.4 增益优化分析第63页
        4.3.5 整体电路噪声的优化设计第63-64页
    4.4 输出缓冲电路的分析与设计第64-65页
    4.5 寄生效应第65-67页
        4.5.1 Bonding 线的寄生第65-66页
        4.5.2 焊盘(PAD)寄生第66页
        4.5.3 ESD 寄生第66页
        4.5.4 连线寄生第66-67页
    4.6 电路仿真及分析第67-72页
        4.6.1 电路原理图和仿真平台第67-69页
        4.6.2 仿真结果分析第69-72页
    4.7 小结第72-74页
第五章 版图设计与优化第74-86页
    5.1 射频版图设计第74-78页
    5.2 版图优化及验证第78-85页
    5.3 小结第85-86页
第六章 总结与展望第86-88页
致谢第88-90页
参考文献第90-95页

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