| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 研究的意义 | 第12-13页 |
| 1.2 SiGe HBT 技术的发展与现状 | 第13-16页 |
| 1.2.1 SiGe HBT 的优势 | 第13-14页 |
| 1.2.2 Si 晶体管与 SiGe 晶体管的区别 | 第14-16页 |
| 1.3 SiGe HBT 超宽带低噪声放大器应用 | 第16页 |
| 1.4 论文的主要工作 | 第16-17页 |
| 1.5 论文的组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 SiGe HBT 的 DC 和小信号模型 | 第18-34页 |
| 2.1 晶体管模型概述 | 第18页 |
| 2.2 SiGe HBT 的 DC 模型 | 第18-22页 |
| 2.2.1 Ebers-Moll 模型 | 第19-20页 |
| 2.2.2 Gummel-Poon 模型 | 第20-22页 |
| 2.3 SiGe HBT 的小信号特性与建模 | 第22-30页 |
| 2.3.1 小信号模型 | 第22-23页 |
| 2.3.2 SiGe HBT 集总 Y 参数 | 第23-27页 |
| 2.3.3 SiGe HBT 集总 Z 参数 | 第27-30页 |
| 2.4 小信号模型参数分析 | 第30-32页 |
| 2.4.1 集电结电容 C_μ | 第30-31页 |
| 2.4.2 发射结电容 C_π | 第31页 |
| 2.4.3 基极电阻 r_b | 第31页 |
| 2.4.4 发射极电阻 r_e | 第31-32页 |
| 2.4.5 跨导 g_m | 第32页 |
| 2.5 小结 | 第32-34页 |
| 第三章 SiGe HBT 噪声模型及 LNA 噪声理论研究 | 第34-46页 |
| 3.1 SiGe HBT 噪声模型 | 第34-35页 |
| 3.2 二端口网络噪声分析 | 第35-40页 |
| 3.2.1 噪声系数 | 第36-37页 |
| 3.2.2 噪声相关矩阵 | 第37-38页 |
| 3.2.3 最小噪声系数分析 | 第38-40页 |
| 3.3 单管 SiGe HBT LNA 噪声特性分析 | 第40-44页 |
| 3.3.1 独立噪声源在输出端的噪声贡献 | 第40-42页 |
| 3.3.2 噪声系数计算 | 第42-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-46页 |
| 第四章 超宽带低噪声放大器电路的分析与设计 | 第46-74页 |
| 4.1 超宽带低噪声放大器的性能指标分析 | 第46-53页 |
| 4.1.1 S 参数 | 第46-47页 |
| 4.1.2 增益和增益平坦度 | 第47-49页 |
| 4.1.3 噪声特性 | 第49页 |
| 4.1.4 增益，噪声因子和系统灵敏度的关系 | 第49-50页 |
| 4.1.5 工作带宽 | 第50页 |
| 4.1.6 线性度 | 第50-53页 |
| 4.2 超宽带低噪声放大器结构的选取 | 第53-56页 |
| 4.2.1 超宽带低噪声放大器基本结构 | 第53-55页 |
| 4.2.2 电路结构的选取 | 第55-56页 |
| 4.3 输入级电路的分析与设计 | 第56-64页 |
| 4.3.1 晶体管直流偏置的确定 | 第57-61页 |
| 4.3.2 输入匹配设计 | 第61-62页 |
| 4.3.3 并联峰值电感 | 第62-63页 |
| 4.3.4 增益优化分析 | 第63页 |
| 4.3.5 整体电路噪声的优化设计 | 第63-64页 |
| 4.4 输出缓冲电路的分析与设计 | 第64-65页 |
| 4.5 寄生效应 | 第65-67页 |
| 4.5.1 Bonding 线的寄生 | 第65-66页 |
| 4.5.2 焊盘(PAD)寄生 | 第66页 |
| 4.5.3 ESD 寄生 | 第66页 |
| 4.5.4 连线寄生 | 第66-67页 |
| 4.6 电路仿真及分析 | 第67-72页 |
| 4.6.1 电路原理图和仿真平台 | 第67-69页 |
| 4.6.2 仿真结果分析 | 第69-72页 |
| 4.7 小结 | 第72-74页 |
| 第五章 版图设计与优化 | 第74-86页 |
| 5.1 射频版图设计 | 第74-78页 |
| 5.2 版图优化及验证 | 第78-85页 |
| 5.3 小结 | 第85-86页 |
| 第六章 总结与展望 | 第86-88页 |
| 致谢 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-95页 |
