| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 引言 | 第12-24页 |
| 1.1 热电现象的三个基本效应 | 第12-14页 |
| 1.1.1 塞贝克效应(Seebeck effect) | 第12-14页 |
| 1.1.2 帕尔帖效应(Peltie effect) | 第14页 |
| 1.1.3 汤姆逊效应(Thomson effect) | 第14页 |
| 1.2 热电材料基本参数的表达式 | 第14-15页 |
| 1.2.1 热导率 | 第14-15页 |
| 1.2.2 载流子浓度 | 第15页 |
| 1.2.3 有效质量 | 第15页 |
| 1.2.4 电导率 | 第15页 |
| 1.3 优化和选择半导体热电因数 | 第15-17页 |
| 1.3.1 功率因子 | 第15-16页 |
| 1.3.2 迁移率和有效质量的关系 | 第16页 |
| 1.3.3 纯晶中的晶格热导率 | 第16页 |
| 1.3.4 温度的影响 | 第16-17页 |
| 1.4 热电材料的种类与新型热电材料 | 第17-20页 |
| 1.4.1 热电材料的种类 | 第17-19页 |
| 1.4.2 新型热电材料 | 第19-20页 |
| 1.5 论文选题的目的和研究内容 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-24页 |
| 第二章 计算方法 | 第24-32页 |
| 2.1 量子力学简介和密度泛函理论 | 第24页 |
| 2.2 对多粒子系统的薛定谔方程的近似 | 第24-25页 |
| 2.2.1 玻恩-奥本海默近似(Born-Oppenheimer approximation) | 第25页 |
| 2.2.2 单电子近似 | 第25页 |
| 2.2.3 非相对论近似 | 第25页 |
| 2.3 交换关联泛函(Correlation exchange functional) | 第25-27页 |
| 2.3.1 局域密度近似泛函(Local Density Approximation, LDA) | 第25-26页 |
| 2.3.2 广义梯度近似泛函(Generalized Gradient Approximation，GGA） | 第26页 |
| 2.3.3 轨道泛函 LDA (GGA) + U | 第26-27页 |
| 2.3.4 杂化密度泛函(Hydrid Density Functional) | 第27页 |
| 2.4 本文采用的密度泛函理论计算软件 | 第27-29页 |
| 2.4.1 VASP(Vienna Ab- initio Simulation Package) | 第27页 |
| 2.4.2 WIEN2k | 第27-28页 |
| 2.4.3 BoltzTrap | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-32页 |
| 第三章 电导率大的各向异性引起 p 型 CrSi_2高的热电性能 | 第32-44页 |
| 3.1 研究背景 | 第32页 |
| 3.2 计算方法 | 第32-33页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第33-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 参考文献 | 第40-44页 |
| 第四章 第一性原理研究 IrN_2的电子结构和热电性质 | 第44-58页 |
| 4.1 研究背景 | 第44页 |
| 4.2 计算方法 | 第44-45页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第45-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 第五章 Ba_3Al_3P_5与 Ba_3Ga_3P_5热电性质与电子结构 | 第58-68页 |
| 5.1 研究背景 | 第58页 |
| 5.2 计算方法 | 第58-59页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第59-64页 |
| 5.3.1 晶格结构 | 第59-60页 |
| 5.3.2 输运性质 | 第60-64页 |
| 5.4 能带的电子结构 | 第64-65页 |
| 5.5 本章小结 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-70页 |
| 6.1 总结 | 第68-69页 |
| 6.2 展望 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间发表的学术论文和奖励 | 第70-72页 |
| 致谢 | 第72-73页 |
