摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1.绪论 | 第9-19页 |
1.1 金属基复合材料 | 第9-12页 |
1.1.1 引言 | 第9页 |
1.1.2 金属基复合材料的分类 | 第9-10页 |
1.1.3 金属基复合材料的发展 | 第10-11页 |
1.1.4 金属基陶瓷复合研究现状 | 第11-12页 |
1.2 负热膨胀材料 | 第12-17页 |
1.2.1 引言 | 第12页 |
1.2.2 负热膨胀材料的分类 | 第12-14页 |
1.2.3 负热膨胀机理 | 第14-16页 |
1.2.4 负膨胀材料研究现状 | 第16-17页 |
1.3 本论文主要研究内容 | 第17-19页 |
1.3.1 选题背景 | 第17页 |
1.3.2 研究内容 | 第17-18页 |
1.3.3 主要技术路线 | 第18页 |
1.3.4 本实验研究意义 | 第18-19页 |
2.样品的制备方法与性能表征 | 第19-27页 |
2.1 负热膨胀材料的制备方法 | 第19-21页 |
2.1.1 固相烧结法 | 第19页 |
2.1.2 液相沉淀法 | 第19-20页 |
2.1.3 溶胶凝胶法 | 第20页 |
2.1.4 气相法 | 第20页 |
2.1.5 激光烧结法 | 第20-21页 |
2.2 金属基复合材料的制备方法 | 第21-22页 |
2.2.1 粉末冶金法 | 第21页 |
2.2.2 熔体搅拌法 | 第21页 |
2.2.3 金属陶瓷共沉积法 | 第21-22页 |
2.2.4 叠层复合法 | 第22页 |
2.3 样品的性能表征方式 | 第22-27页 |
2.3.1 X 射线衍射(XRD)物相分析 | 第22-24页 |
2.3.2 扫描电镜(SEM) | 第24页 |
2.3.3 热膨胀仪 | 第24-26页 |
2.3.4 维氏硬度计 | 第26页 |
2.3.5 热分析 | 第26-27页 |
3.水热法制备 Zr_2P_2WO_(12)粉体 | 第27-38页 |
3.1 引言 | 第27页 |
3.2 实验药品及仪器设备 | 第27-28页 |
3.2.1 实验药品 | 第27-28页 |
3.2.2 实验设备 | 第28页 |
3.3 Zr_2P_2WO_(12)粉体的制备 | 第28页 |
3.4 实验机理 | 第28-29页 |
3.5 Zr_2P_2WO_(12)粉体结构表征 | 第29-30页 |
3.5.1 Zr_2P_2WO_(12)前驱体分析 | 第29-30页 |
3.6 pH 值对 Zr_2P_2WO_(12)粉体结构的影响 | 第30-32页 |
3.6.1 不同 pH 值下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 XRD 图谱分析 | 第30-31页 |
3.6.2 不同 pH 值下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 SEM 分析 | 第31-32页 |
3.7 反应温度对 Zr_2P_2WO_(12)粉体结构的影响 | 第32-34页 |
3.7.1 不同温度下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 XRD 图谱分析 | 第32-33页 |
3.7.2 不同反应温度下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 SEM 分析 | 第33-34页 |
3.8 反应时间对 Zr_2P_2WO_(12)粉体结构的影响 | 第34-36页 |
3.8.1 不同反应时间下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 XRD 图谱分析 | 第34-35页 |
3.8.2 不同反应时间下合成 Zr_2P_2WO_(12)粉体 SEM 分析 | 第35-36页 |
3.9 热膨胀性能分析 | 第36-37页 |
3.10 本章小结 | 第37-38页 |
4.TiNi/ZWP 与 Cu/ZWP 的制备与性能研究 | 第38-50页 |
4.0 引言 | 第38页 |
4.1 复合原理 | 第38-39页 |
4.2 实验步骤 | 第39-40页 |
4.2.1 实验药品和设备 | 第39页 |
4.2.2 混粉 | 第39页 |
4.2.3 烧结 | 第39-40页 |
4.3 实验结果与分析 | 第40-48页 |
4.3.1 复合材料的 XRD 分析 | 第40-41页 |
4.3.2 复合材料的 SEM 分析 | 第41-44页 |
4.3.3 复合材料的热膨胀性能分析 | 第44-45页 |
4.3.4 复合材料的致密度 | 第45-47页 |
4.3.5 复合材料硬度的测试 | 第47-48页 |
4.3.6 Cu/ZWP 复合材料的导电性能分析 | 第48页 |
本章小结 | 第48-50页 |
5.结论和展望 | 第50-52页 |
5.1 结论 | 第50-51页 |
5.2 展望 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-55页 |
致谢 | 第55页 |