| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-20页 |
| 1.1 薄膜晶体管的研究背景 | 第8-18页 |
| 1.1.1 薄膜晶体管的发展 | 第8-11页 |
| 1.1.2 薄膜晶体管的应用 | 第11-13页 |
| 1.1.3 金属氧化物薄膜晶体管的研究现状 | 第13-18页 |
| 1.2 本文主要研究内容和章节安排 | 第18-20页 |
| 第二章 TFT的工作原理与制备方法 | 第20-28页 |
| 2.1 TFT的结构与工作原理 | 第20-22页 |
| 2.1.1 TFT的基本结构 | 第20页 |
| 2.1.2 TFT的工作原理 | 第20-22页 |
| 2.2 TFT的制备方法 | 第22-25页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第22-23页 |
| 2.2.2 溶胶凝胶 | 第23-24页 |
| 2.2.3 热蒸发 | 第24-25页 |
| 2.3 薄膜的测试与表征方法 | 第25-26页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第25页 |
| 2.3.2 原子力显微镜 | 第25-26页 |
| 2.3.3 傅里叶变换红外图谱 | 第26页 |
| 2.4 TFT的主要性能参数 | 第26-28页 |
| 2.4.1 开关比 | 第26页 |
| 2.4.2 场效应迁移率 | 第26-27页 |
| 2.4.3 亚阈值摆幅 | 第27页 |
| 2.4.4 阈值电压 | 第27页 |
| 2.4.5 最大界面态密度 | 第27-28页 |
| 第三章 磁控溅射制备In_2O_3 TFT及性能测试 | 第28-35页 |
| 3.1 器件制备 | 第28-31页 |
| 3.1.1 绝缘层制备 | 第28-29页 |
| 3.1.2 半导体层的制备 | 第29-30页 |
| 3.1.3 电极的制备 | 第30-31页 |
| 3.1.4 器件退火 | 第31页 |
| 3.2 薄膜的性质测试 | 第31-34页 |
| 3.2.1 薄膜的XRD性质分析 | 第31-32页 |
| 3.2.2 薄膜的电学性质分析 | 第32-34页 |
| 3.3 本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 溶胶凝胶技术制备氧化铝薄膜 | 第35-48页 |
| 4.1 常见的高k材料 | 第35页 |
| 4.2 氧化铝材料介绍 | 第35-36页 |
| 4.3 不同条件退火氧化铝薄膜的制备（乙酰丙酮铝） | 第36-38页 |
| 4.4 薄膜的性质测试 | 第38-40页 |
| 4.4.1 薄膜厚度测试 | 第38页 |
| 4.4.2 X射线衍射分析 | 第38-39页 |
| 4.4.3 薄膜表面形貌分析 | 第39-40页 |
| 4.4.4 薄膜漏电流分析 | 第40页 |
| 4.5 不同厚度氧化铝薄膜的制备（氯化铝） | 第40-42页 |
| 4.6 薄膜的性质测试 | 第42-43页 |
| 4.6.1 薄膜厚度测试 | 第42页 |
| 4.6.2 薄膜漏电流的测试 | 第42-43页 |
| 4.7 薄膜的不同温度退火 | 第43页 |
| 4.8 薄膜的性质测试 | 第43-47页 |
| 4.8.1 溶液的热重分析 | 第43-44页 |
| 4.8.2 薄膜XRD结果分析 | 第44页 |
| 4.8.3 薄膜的表面形貌分析 | 第44-45页 |
| 4.8.4 薄膜的红外衍射图谱分析 | 第45页 |
| 4.8.5 薄膜电容分析 | 第45-46页 |
| 4.8.6 薄膜漏电流分析 | 第46-47页 |
| 4.9 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 ITZO TFT的制备及性能测试 | 第48-51页 |
| 5.1 器件结构 | 第48页 |
| 5.2 器件制备 | 第48页 |
| 5.3 性质测试 | 第48-50页 |
| 5.4 本章小结 | 第50-51页 |
| 第六章 工作总结与展望 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-57页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |