| 论文摘要 | 第5-8页 |
| abstract | 第8-11页 |
| 第一章 绪论 | 第15-49页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-17页 |
| 1.2 相变存储器概述 | 第17-19页 |
| 1.3 硫属相变材料的研究 | 第19-24页 |
| 1.4 相变薄膜材料的制备 | 第24-25页 |
| 1.5 材料表征所用的重要光谱学手段 | 第25-40页 |
| 1.5.1 拉曼散射光谱技术 | 第25-32页 |
| 1.5.2 紫外-近红外透射光谱技术 | 第32-33页 |
| 1.5.3 椭圆偏振光谱技术 | 第33-40页 |
| 1.6 本论文的研究意义及主要内容 | 第40-43页 |
| 参考文献 | 第43-49页 |
| 第二章 高性能W掺杂Ge_2Sb_2Te_5薄膜材料相变机制的光谱学研究 | 第49-89页 |
| 2.1 引言 | 第49-52页 |
| 2.2 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜材料的制备及测试表征手段 | 第52-54页 |
| 2.3 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的变温电阻及数据保持力分析 | 第54-57页 |
| 2.4 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的变温拉曼散射光谱研究 | 第57-64页 |
| 2.4.1 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的拉曼散射光谱 | 第57-59页 |
| 2.4.2 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的晶格振动及结晶机制 | 第59-64页 |
| 2.5 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的透射光谱研究 | 第64-66页 |
| 2.6 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的变温椭圆偏振光谱研究 | 第66-81页 |
| 2.6.1 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的表面形貌和紫外-红外复介电函数 | 第66-73页 |
| 2.6.2 W_x(Ge_2Sb_2Te_5)1-x薄膜的电子能带结构及电子带间跃迁 | 第73-81页 |
| 2.7 本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-89页 |
| 第三章 N掺杂GeTe薄膜材料带尾局域态及动态相变过程的光谱学研究 | 第89-115页 |
| 3.1 引言 | 第89-92页 |
| 3.2 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜材料的制备及测试表征手段 | 第92-93页 |
| 3.3 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的变温电阻研究 | 第93-95页 |
| 3.4 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的拉曼散射光谱研究 | 第95-97页 |
| 3.5 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的透射光谱研究 | 第97-99页 |
| 3.6 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的变温椭圆偏振光谱研究 | 第99-109页 |
| 3.6.1 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的紫外-近红外复介电函数及带尾局域态 | 第99-106页 |
| 3.6.2 N_x(GeTe)_(1-x)薄膜的电子带间跃迁及N元素掺杂行为 | 第106-109页 |
| 3.7 本章小结 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-115页 |
| 第四章 W掺杂Sb_2Te薄膜中间过渡结晶态的发现及其相变的光谱学研究 | 第115-147页 |
| 4.1 引言 | 第115-118页 |
| 4.2 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜材料的制备、表征手段及理论计算 | 第118-119页 |
| 4.3 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的变温电阻及数据保持力分析 | 第119-121页 |
| 4.4 Sb_2Te薄膜的变温X射线衍射光谱研究 | 第121-123页 |
| 4.5 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的变温拉曼散射光谱研究 | 第123-131页 |
| 4.5.1 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的拉曼散射光谱及表面形貌 | 第123-126页 |
| 4.5.2 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的晶格振动及中间过渡结晶态 | 第126-131页 |
| 4.6 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的变温椭圆偏振光谱研究 | 第131-138页 |
| 4.6.1 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的紫外-红外复介电函数 | 第131-136页 |
| 4.6.2 W_x(Sb_2Te)1-x薄膜的局部光谱权重及相图 | 第136-138页 |
| 4.7 Sb_2Te的第一性原理计算及复介电函数对比 | 第138-141页 |
| 4.8 本章小结 | 第141-142页 |
| 参考文献 | 第142-147页 |
| 第五章 Si掺杂优化Sb_2Te薄膜结晶行为的光谱学研究 | 第147-175页 |
| 5.1 引言 | 第147-149页 |
| 5.2 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜材料的制备及测试表征手段 | 第149-150页 |
| 5.3 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的变温电阻研究 | 第150-151页 |
| 5.4 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的变温拉曼散射光谱研究 | 第151-157页 |
| 5.4.1 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的拉曼散射光谱及表面形貌 | 第151-155页 |
| 5.4.2 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的晶格振动及相变过程分析 | 第155-157页 |
| 5.5 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的透射光谱研究 | 第157-159页 |
| 5.6 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的变温椭圆偏振光谱研究 | 第159-168页 |
| 5.6.1 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的紫外-红外复介电函数 | 第159-165页 |
| 5.6.2 Si_x(Sb_2Te)_(1-x)薄膜的电子能带结构及电子带间跃迁 | 第165-168页 |
| 5.7 本章小结 | 第168-169页 |
| 参考文献 | 第169-175页 |
| 第六章 总结与展望 | 第175-179页 |
| 6.1 总结 | 第175-177页 |
| 6.2 展望 | 第177-179页 |
| 附录I 图表清单 | 第179-187页 |
| 附录Ⅱ 攻读博士学位期间科研论文清单及奖励 | 第187-191页 |
| 附录III 致谢 | 第191-192页 |
