| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4-5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-14页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第8-9页 |
| 1.2 烷烃脱氢研究进展 | 第9-11页 |
| 1.3 碳材料在烷烃脱氢中的作用 | 第11-12页 |
| 1.4 氮化硼在烷烃脱氢方面的应用 | 第12-13页 |
| 1.5 课题研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 第2章 实验部分 | 第14-19页 |
| 2.1 原料与设备 | 第14-15页 |
| 2.2 催化剂表征方法 | 第15-17页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第15页 |
| 2.2.2 低温N2物理吸附(BET) | 第15页 |
| 2.2.3 场发射扫描电子显微镜(FESEM) | 第15-16页 |
| 2.2.4 程序升温脱附(TPD) | 第16页 |
| 2.2.5 透射电子显微镜(TEM) | 第16页 |
| 2.2.6 傅里叶红外光谱分析(FTIR) | 第16页 |
| 2.2.7 拉曼光谱分析(Raman) | 第16页 |
| 2.2.8 X射线光电子能谱(XPS) | 第16页 |
| 2.2.9 热重分析(TG) | 第16-17页 |
| 2.3 催化剂反应活性评价 | 第17-19页 |
| 第3章 磷改性的微孔碳的合成及其丙烷直接脱氢性能 | 第19-30页 |
| 3.1 引言 | 第19-20页 |
| 3.2 催化剂合成及评价条件 | 第20-21页 |
| 3.2.1 微孔碳的合成 | 第20页 |
| 3.2.2 磷酸盐改性的微孔碳 | 第20-21页 |
| 3.2.3 脱氢反应评价条件 | 第21页 |
| 3.3 催化剂的表征分析 | 第21-28页 |
| 3.3.1 催化剂的XRD结构分析 | 第21-22页 |
| 3.3.2 催化剂的物理结构(BET)分析 | 第22-24页 |
| 3.3.3 催化剂的微观形貌(SEM)分析 | 第24-25页 |
| 3.3.4 催化剂的FTIR光谱和Raman光谱分析 | 第25-26页 |
| 3.3.5 催化剂的热稳定性(TG)分析 | 第26-27页 |
| 3.3.6 催化剂的程序升温脱附(TPD)分析 | 第27-28页 |
| 3.4 磷源对催化性能的影响 | 第28-29页 |
| 3.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第4章 氮化硼焙烧温度对丙烷氧化脱氢催化性能的影响 | 第30-45页 |
| 4.1 引言 | 第30页 |
| 4.2 氮化硼催化剂的合成及催化评价条件 | 第30-31页 |
| 4.2.1 氮化硼催化剂的合成 | 第30-31页 |
| 4.2.2 脱氢反应评价条件 | 第31页 |
| 4.3 催化剂的表征分析 | 第31-39页 |
| 4.3.1 催化剂的XRD结构分析 | 第31-32页 |
| 4.3.2 催化剂的物理结构(BET)分析 | 第32-34页 |
| 4.3.3 催化剂的微观形貌(FESEM和TEM)分析 | 第34-35页 |
| 4.3.4 催化剂的傅里叶红外光谱(FTIR)分析 | 第35-36页 |
| 4.3.5 催化剂的拉曼光谱(Raman)分析 | 第36-37页 |
| 4.3.6 催化剂的光电子能谱(XPS)分析 | 第37-39页 |
| 4.3.7 催化剂的热稳定性(TG)分析 | 第39页 |
| 4.4 催化剂催化丙烷脱氢性能研究 | 第39-44页 |
| 4.5 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 碳掺杂的氮化硼对丙烷氧化脱氢的催化性能研究 | 第45-55页 |
| 5.1 引言 | 第45-46页 |
| 5.2 BCN催化剂的制备及催化反应条件 | 第46页 |
| 5.2.1 BCN催化剂的合成 | 第46页 |
| 5.2.2 脱氢反应评价条件 | 第46页 |
| 5.3 催化剂的表征分析 | 第46-52页 |
| 5.3.1 催化剂的XRD结构分析 | 第46-47页 |
| 5.3.2 催化剂的物理结构(BET)分析 | 第47-48页 |
| 5.3.3 催化剂的微观(SEM)分析 | 第48-49页 |
| 5.3.4 催化剂的傅里叶红外光谱(FTIR)分析 | 第49页 |
| 5.3.5 催化剂的拉曼光谱(Raman)分析 | 第49-50页 |
| 5.3.6 催化剂的光电子能谱(XPS)分析 | 第50-51页 |
| 5.3.7 催化剂的热稳定性(TG)分析 | 第51-52页 |
| 5.4 催化剂催化丙烷脱氢性能研究 | 第52-53页 |
| 5.5 本章总结 | 第53-55页 |
| 第6章 总结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
