| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-42页 |
| 1. 课题研究的背景与意义 | 第11-12页 |
| 2. 单晶石墨烯的生长及晶界的形成 | 第12-14页 |
| 3. 大面积单晶石墨烯的制备方法 | 第14-22页 |
| 3.1 毫米级单晶石墨烯的生长 | 第14-16页 |
| 3.2 厘米级单晶石墨烯的生长 | 第16-19页 |
| 3.3 石墨烯的快速生长 | 第19-20页 |
| 3.4 单晶石墨烯晶畴的定向排列与无缝连接 | 第20-22页 |
| 4. 石墨烯的晶界 | 第22-29页 |
| 4.1 石墨烯晶界的微观结构与纳米尺度表征 | 第23-25页 |
| 4.2 石墨烯晶界的宏观尺度表征 | 第25-29页 |
| 5. 本论文主要内容和研究目标 | 第29-31页 |
| 5.1 主要内容 | 第29-31页 |
| 5.2 主要研究目标 | 第31页 |
| 6. 参考文献 | 第31-42页 |
| 第二章 石墨烯的CVD制备与表征 | 第42-48页 |
| 1. 石墨烯的制备 | 第42-43页 |
| 1.1 石墨烯生长的CVD系统 | 第42页 |
| 1.2 石墨烯的转移 | 第42-43页 |
| 2. 石墨烯的表征 | 第43-48页 |
| 2.1 石墨烯的光学成像表征 | 第43-44页 |
| 2.2 石墨烯的扫描电子与透射电子显微学成像表征 | 第44页 |
| 2.3 石墨烯的拉曼光谱与原子力显微镜表征 | 第44页 |
| 2.4 石墨烯的电学性质表征 | 第44-48页 |
| 第三章 石墨烯晶界的动力学形成规律 | 第48-79页 |
| 1. 引言 | 第48-49页 |
| 2. 实验结果与表征 | 第49-63页 |
| 2.1 单晶与多晶石墨烯片的CVD生长与刻蚀 | 第49-51页 |
| 2.2 单晶与多晶石墨烯片的刻蚀 | 第51-54页 |
| 2.3 石墨烯晶界的结构表征 | 第54-60页 |
| 2.4 石墨烯晶界快速成像 | 第60-63页 |
| 3. 石墨烯晶界的形成机制 | 第63-72页 |
| 4. 超长石墨烯晶界的制备与器件 | 第72-74页 |
| 5. 本章小结 | 第74-75页 |
| 6. 参考文献 | 第75-79页 |
| 第四章 氧化性刻蚀辅助法生长厘米级单晶石墨烯 | 第79-101页 |
| 1. 引言 | 第79-80页 |
| 2. 实验方法与步骤 | 第80-81页 |
| 2.1 单晶石墨烯的生长 | 第80页 |
| 2.2 石墨烯场效应晶体管的制备 | 第80-81页 |
| 3. 实验结果与讨论 | 第81-93页 |
| 3.1 微量氧化性气体对生长的影响 | 第81-85页 |
| 3.2 O_2对石墨烯的氧化性刻蚀作用 | 第85-88页 |
| 3.3 氧化性刻蚀影响石墨烯生长的内在机制研究 | 第88-93页 |
| 4. 石墨烯的表征 | 第93-96页 |
| 4.1 石墨烯的光学显微镜成像与TEM表征 | 第93-94页 |
| 4.2 石墨烯的拉曼光谱与AFM表征 | 第94-95页 |
| 4.3 石墨烯的电学性质表征 | 第95-96页 |
| 5. 本章小结 | 第96-97页 |
| 6. 参考文献 | 第97-101页 |
| 第五章 抑制氧化性杂质的促进成核效应快速生长单晶石墨烯 | 第101-125页 |
| 1. 引言 | 第101-102页 |
| 2. 实验方法与步骤 | 第102-104页 |
| 2.1 单晶石墨烯的生长 | 第102页 |
| 2.2 石墨烯场效应晶体管的制备 | 第102-103页 |
| 2.3 C原子吸附能的计算 | 第103-104页 |
| 3. 实验结果与讨论 | 第104-117页 |
| 3.1 微量H_2O蒸气含量的分析与CVD设备改进 | 第104-107页 |
| 3.2 微量氧化性杂质对石墨烯生长的影响 | 第107-109页 |
| 3.3 快速生长石墨烯的机理讨论 | 第109-117页 |
| 4. 石墨烯的表征 | 第117-119页 |
| 4.1 石墨烯的拉曼光谱表征 | 第117-118页 |
| 4.2 石墨烯的TEM表征 | 第118-119页 |
| 4.3 石墨烯的电学性质表征 | 第119页 |
| 5. 本章小结 | 第119-121页 |
| 6. 参考文献 | 第121-125页 |
| 总结与展望 | 第125-128页 |
| 1. 总结 | 第125-127页 |
| 2. 展望 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-130页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文 | 第130页 |