| 目录 | 第3-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 前言 | 第6-15页 |
| 1.1 荧光半导体量子点概述 | 第6-12页 |
| 1.1.1 荧光原理 | 第6-7页 |
| 1.1.2 量子点的基本特性 | 第7-8页 |
| 1.1.3 量子点的制备 | 第8页 |
| 1.1.4 量子点的量子产额 | 第8-10页 |
| 1.1.5 量子点的光增强效应 | 第10-12页 |
| 1.2 全内反射荧光显微技术 | 第12-15页 |
| 1.2.1 全内反射原理 | 第12页 |
| 1.2.2 全内反射显微技术 | 第12-15页 |
| 第二章 实验方法 | 第15-21页 |
| 2.1 CdSe/ZnS核壳量子点的性质 | 第15-16页 |
| 2.2 全内反射显微镜构成 | 第16-18页 |
| 2.3 软件 | 第18页 |
| 2.4 载玻片和盖玻片的清洗和实验操作 | 第18-21页 |
| 2.4.1 清洗 | 第18-19页 |
| 2.4.2 载-盖玻片沟道的制作 | 第19页 |
| 2.4.3 实验操作 | 第19-21页 |
| 第三章 核/壳量子点荧光的氧化及恢复 | 第21-32页 |
| 3.1 前言 | 第21-22页 |
| 3.2 不同氧化剂与还原剂对核/壳量子点总体荧光的影响 | 第22-23页 |
| 3.3 全内反射荧光实验 | 第23-30页 |
| 3.3.1 群体量子点的全内反射实验 | 第23-26页 |
| 3.3.2 单分子实验 | 第26-30页 |
| 3.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 3.5 进一步的实验设计 | 第31-32页 |
| 参考文献 | 第32-34页 |
| 致谢 | 第34-35页 |