ZAO:H透明导电薄膜中H的掺杂行为研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-24页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 ZAO 薄膜概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 ZAO 薄膜晶体结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 ZAO 薄膜晶体点缺陷 | 第11-12页 |
| 1.2.3 ZAO 电学性能 | 第12页 |
| 1.2.4 ZAO 光学性能 | 第12-13页 |
| 1.3 ZAO 薄膜的制备方法 | 第13-16页 |
| 1.4 ZnO:H 薄膜概述 | 第16-22页 |
| 1.4.1 H 在ZnO 中的能级位置 | 第16页 |
| 1.4.2 H 在ZnO 中的存在状态 | 第16-19页 |
| 1.4.3 H 在ZnO 中的扩散行为 | 第19-21页 |
| 1.4.4 H 对ZnO 薄膜结构和形貌的影响 | 第21-22页 |
| 1.4.5 H 对ZnO 薄膜光电性能的影响 | 第22页 |
| 1.5 本课题的研究内容及意义 | 第22-24页 |
| 第2章 ZAO:H 薄膜制备及结构、性能测试 | 第24-31页 |
| 2.1 射频磁控溅射原理 | 第24-25页 |
| 2.2 ZAO:H 薄膜样品制备 | 第25-26页 |
| 2.2.1 实验设备 | 第25-26页 |
| 2.2.2 ZAO:H 薄膜制备及热处理过程 | 第26页 |
| 2.3 ZAO:H 薄膜性能表征 | 第26-31页 |
| 第3章 ZAO:H 薄膜结构和性能研究 | 第31-51页 |
| 3.1 薄膜制备工艺参数 | 第31页 |
| 3.2 ZAO:H 薄膜结构的XRD 研究 | 第31-38页 |
| 3.3 ZAO:H 薄膜形貌分析 | 第38-40页 |
| 3.4 薄膜电学性能研究 | 第40-44页 |
| 3.5 薄膜光学性能研究 | 第44-49页 |
| 3.6 薄膜综合性能研究 | 第49页 |
| 3.7 本章小结 | 第49-51页 |
| 第4章 ZAO:H 薄膜退火处理及结果分析 | 第51-62页 |
| 4.1 退火工艺参数 | 第51页 |
| 4.2 退火处理对薄膜结构的影响 | 第51-55页 |
| 4.3 退火处理对薄膜电学性能的影响 | 第55-57页 |
| 4.4 退火处理对薄膜光学性能的影响 | 第57-60页 |
| 4.5 退火处理对薄膜综合性能的影响 | 第60页 |
| 4.6 本章小结 | 第60-62页 |
| 第5章 ZAO:H 薄膜电学性能稳定性分析 | 第62-67页 |
| 5.1 薄膜稳定性测试 | 第62-63页 |
| 5.2 大气环境中薄膜电学性能稳定性 | 第63-64页 |
| 5.3 湿热环境中薄膜电学性能稳定性 | 第64-66页 |
| 5.4 本章小结 | 第66-67页 |
| 第6章 全文总结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第73-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 摘要 | 第75-76页 |
| Abstract | 第76-77页 |
