| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第13-30页 |
| 1.1 课题背景 | 第13-14页 |
| 1.2 辐射环境 | 第14-17页 |
| 1.2.1 空间辐射环境 | 第14-16页 |
| 1.2.2 高能物理实验辐射环境 | 第16页 |
| 1.2.3 半导体加工工艺辐射环境 | 第16-17页 |
| 1.3 粒子与物质相互作用 | 第17-19页 |
| 1.3.1 带电粒子在靶材中的运动过程 | 第17-18页 |
| 1.3.2 离子与物质相互作用 | 第18页 |
| 1.3.3 电子与物质相互作用 | 第18-19页 |
| 1.3.4 γ射线与物质相互作用 | 第19页 |
| 1.4 硅中的深能级缺陷 | 第19-23页 |
| 1.5 双极晶体管及其辐射损伤 | 第23-28页 |
| 1.5.1 双极晶体管工作原理 | 第23-25页 |
| 1.5.2 双极晶体管辐射损伤 | 第25-28页 |
| 1.6 本文研究目的和主要内容 | 第28-30页 |
| 第2章 试验样品与分析测试方法 | 第30-37页 |
| 2.1 试验样品 | 第30-31页 |
| 2.2 辐照试验方法 | 第31-32页 |
| 2.3 退火试验方法 | 第32-33页 |
| 2.4 电性能参数测试方法 | 第33-34页 |
| 2.5 深能级缺陷分析方法 | 第34-37页 |
| 第3章 双极晶体管电离辐射损伤效应及缺陷研究 | 第37-70页 |
| 3.1 单位注量吸收剂量计算 | 第37-38页 |
| 3.2 双极晶体管电离辐射损伤效应 | 第38-50页 |
| 3.2.1 IC-VCE特性曲线变化规律 | 第38-41页 |
| 3.2.2 Gummel 曲线变化规律 | 第41-44页 |
| 3.2.3 反向 Gummel 曲线变化规律 | 第44-45页 |
| 3.2.4 电流增益变化规律 | 第45-48页 |
| 3.2.5 电离辐射深能级缺陷研究 | 第48-50页 |
| 3.3 双极晶体管电离辐射损伤退火效应 | 第50-56页 |
| 3.3.1 退火过程中电学参数变化 | 第50-54页 |
| 3.3.2 退火过程中深能级缺陷演化研究 | 第54-56页 |
| 3.4 双极晶体管电离辐射损伤机制分析 | 第56-69页 |
| 3.4.1 偏置条件对电离辐射损伤的影响 | 第56-60页 |
| 3.4.2 不同电离辐照源电离损伤能力对比 | 第60-63页 |
| 3.4.3 双极晶体管电离辐射损伤机制及模型 | 第63-69页 |
| 3.5 本章小结 | 第69-70页 |
| 第4章 双极晶体管位移辐射损伤效应及缺陷研究 | 第70-110页 |
| 4.1 单位注量吸收剂量计算 | 第70-72页 |
| 4.2 双极晶体管位移辐射损伤效应 | 第72-85页 |
| 4.2.1 IC-VCE特性曲线变化规律 | 第72-76页 |
| 4.2.2 Gummel 曲线变化规律 | 第76-79页 |
| 4.2.3 反向 Gummel 曲线变化规律 | 第79-80页 |
| 4.2.4 电流增益变化规律 | 第80-82页 |
| 4.2.5 位移辐射深能级缺陷研究 | 第82-85页 |
| 4.3 双极晶体管位移辐射损伤退火效应 | 第85-95页 |
| 4.3.1 退火过程中电学参数变化 | 第85-88页 |
| 4.3.2 退火过程中深能级缺陷演化研究 | 第88-95页 |
| 4.4 双极晶体管位移辐射损伤机制分析 | 第95-109页 |
| 4.4.1 偏置条件对位移辐射损伤的影响 | 第95-98页 |
| 4.4.2 不同辐照源对双极晶体管位移辐射损伤的影响 | 第98-105页 |
| 4.4.3 不同辐照源位移损伤等效方法研究 | 第105-109页 |
| 4.5 本章小结 | 第109-110页 |
| 第5章 双极晶体管电离/位移协合辐射损伤效应及缺陷研究 | 第110-148页 |
| 5.1 单位注量吸收剂量计算 | 第110-111页 |
| 5.2 双极晶体管电离/位移协合辐射效应 | 第111-122页 |
| 5.2.1 IC-VCE特性曲线变化规律 | 第111-113页 |
| 5.2.2 Gummel 曲线变化规律 | 第113-116页 |
| 5.2.3 反向 Gummel 曲线变化规律 | 第116-117页 |
| 5.2.4 电流增益变化规律 | 第117-119页 |
| 5.2.5 电离/位移协合辐射深能级缺陷研究 | 第119-122页 |
| 5.3 双极晶体管电离/位移协合辐射损伤退火效应 | 第122-131页 |
| 5.3.1 退火过程中电学参数变化 | 第122-125页 |
| 5.3.2 退火过程中深能级缺陷演化研究 | 第125-131页 |
| 5.4 双极晶体管电离/位移协合辐射损伤机制分析 | 第131-146页 |
| 5.4.1 低能质子和电子综合辐射效应研究 | 第131-136页 |
| 5.4.2 重离子和电子综合辐射效应研究 | 第136-143页 |
| 5.4.3 偏置条件对电离/位移协合辐射损伤的影响 | 第143-146页 |
| 5.5 本章小结 | 第146-148页 |
| 结论 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-163页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第163-166页 |
| 致谢 | 第166-167页 |
| 个人简历 | 第167页 |
