| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 NAND 闪存的发展历史 | 第8-9页 |
| 1.2 NAND 闪存卡的种类 | 第9页 |
| 1.3 研究改善 NAND 闪存写入（编程）干扰的重要性和意义 | 第9-10页 |
| 1.4 NAND 闪存写入（编程）干扰改善研究工作内容与创新点 | 第10-11页 |
| 第二章 闪存的基本结构 | 第11-16页 |
| 2.1 闪存的基本结构介绍 | 第11-13页 |
| 2.2 NAND 闪存存储单元介绍 | 第13-14页 |
| 2.3 NAND 闪存的存储单元分类 | 第14-15页 |
| 2.4 本章小结 | 第15-16页 |
| 第三章 NAND 闪存存储原理 | 第16-21页 |
| 3.1 NAND 闪存存储原理介绍 | 第16-18页 |
| 3.2 NAND 闪存存储单元读写擦操作 | 第18-20页 |
| 3.3 本章小结 | 第20-21页 |
| 第四章 NAND 闪存常见问题 | 第21-28页 |
| 4.1 NAND 闪存的架构介绍 | 第21-22页 |
| 4.2 NAND 闪存的读取干扰 | 第22-23页 |
| 4.3 NAND 闪存的写入（编程）干扰 | 第23-25页 |
| 4.4 NAND 闪存的数据保存期限 | 第25页 |
| 4.5 NAND 闪存的坏块类型 | 第25-26页 |
| 4.6 NAND 闪存的擦写次数限制 | 第26-27页 |
| 4.7 本章小结 | 第27-28页 |
| 第五章 NAND 闪存写入（编程）干扰种类 | 第28-31页 |
| 5.1 VPASS 电压过高引起的写入（编程）干扰 | 第28-29页 |
| 5.2 VPASS 电压过低引起的写入（编程）干扰 | 第29页 |
| 5.3 过量写入引起的写入（编程）干扰 | 第29-30页 |
| 5.4 YUPIN 耦合效应引起的写入（编程）干扰 | 第30页 |
| 5.5 本章小结 | 第30-31页 |
| 第六章 NAND 闪存写入（编程）干扰改善方法 | 第31-36页 |
| 6.1 确定 VPASS 电压值范围改善写入（编程）干扰 | 第31-32页 |
| 6.2 改善位线与位线之间 YUPIN 效应引起的写入（编程）干扰 | 第32-33页 |
| 6.3 改善字线与字线之间 YUPIN 效应引起的写入（编程）干扰 | 第33页 |
| 6.4 解析实际测试过程中写入（编程）干扰实例 | 第33-35页 |
| 6.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 第七章 总结与展望 | 第36-37页 |
| 参考文献 | 第37-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
