| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 金属氧化物半导体传感器简介 | 第12-20页 |
| 1.2.1 金属氧化物半导体传感器的研究进展 | 第12-15页 |
| 1.2.2 金属氧化物半导体传感器的类型 | 第15-16页 |
| 1.2.3 金属氧化物半导体传感器的气敏反应机理 | 第16-18页 |
| 1.2.4 金属氧化物半导体传感器的性能参数 | 第18-20页 |
| 1.3 In_2O_3半导体气敏材料的简介及其气敏性质的研究概况 | 第20-28页 |
| 1.3.1 In_2O_3半导体气敏材料的简介 | 第20-21页 |
| 1.3.2 In_2O_3气体传感器的性能影响因素 | 第21-26页 |
| 1.3.3 In_2O_3气体传感器的应用 | 第26-28页 |
| 1.4 本论文的选题立意及工作内容 | 第28-30页 |
| 第2章 In_2O_3纳米球的合成及硝基化合物检测中的应用 | 第30-46页 |
| 2.1 引言 | 第30-31页 |
| 2.2 实验部分 | 第31-34页 |
| 2.2.1 实验试剂及原料 | 第31-32页 |
| 2.2.2 In_2O_3纳米球的合成 | 第32页 |
| 2.2.3 样品的表征 | 第32页 |
| 2.2.4 半导体气体传感器件的制作和响应测试 | 第32-34页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第34-45页 |
| 2.3.1 In_2O_3纳米球结构及形貌的表征 | 第34-38页 |
| 2.3.2 In_2O_3纳米球对硝基烷的气敏性质研究 | 第38-45页 |
| 2.3.3 In_2O_3纳米球对硝基烷的气敏反应机理 | 第45页 |
| 2.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第3章 Ni掺杂In_2O_3纳米粒子的合成及芳香烃气敏检测中的应用 | 第46-58页 |
| 3.1 引言 | 第46-47页 |
| 3.2 实验部分 | 第47-49页 |
| 3.2.1 实验试剂 | 第47页 |
| 3.2.2 Ni掺杂的In_2O_3纳米粒子的合成 | 第47-48页 |
| 3.2.3 样品的表征 | 第48页 |
| 3.2.4 气体传感器件的制作和响应测试 | 第48-49页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第49-57页 |
| 3.3.1 Ni掺杂的In_2O_3纳米粒子的结构及形貌表征 | 第49-53页 |
| 3.3.2 Ni掺杂的In_2O_3纳米粒子的气敏性能研究 | 第53-57页 |
| 3.3.3 Ni掺杂的In_2O_3纳米粒子的气敏反应机理 | 第57页 |
| 3.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第4章 结论与展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-81页 |
| 硕士期间研究成果 | 第81-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
