2.4GHz多相位压控振荡器的研究与设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第14-22页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 CMOS工艺简介 | 第14-16页 |
| 1.2.1 CMOS工艺发展历程及发展趋势 | 第14-15页 |
| 1.2.2 CMOS电路设计的挑战 | 第15-16页 |
| 1.3 射频接收机研究现状 | 第16-18页 |
| 1.3.1 超外差式接收机 | 第16-17页 |
| 1.3.2 零中频接收机 | 第17页 |
| 1.3.3 低中频接收机 | 第17-18页 |
| 1.4 振荡器研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4.1 正交压控振荡器研究现状 | 第18-20页 |
| 1.4.2 多相位压控振荡器研究现状 | 第20页 |
| 1.5 本文的主要研究内容和组织结构 | 第20-22页 |
| 1.5.1 主要研究内容 | 第20-21页 |
| 1.5.2 论文组织结构 | 第21-22页 |
| 第2章 压控振荡器基本原理 | 第22-41页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 压控振荡器概述 | 第22-24页 |
| 2.2.1 振荡的建立与起振条件 | 第22-23页 |
| 2.2.2 振荡器平衡和平衡条件 | 第23页 |
| 2.2.3 振荡器稳定条件 | 第23-24页 |
| 2.3 负阻振荡器 | 第24-31页 |
| 2.3.1 负阻振荡原理 | 第24-26页 |
| 2.3.2 负阻的产生 | 第26-27页 |
| 2.3.3 LC振荡器Q值 | 第27-29页 |
| 2.3.4 压控振荡器的性能参数 | 第29-31页 |
| 2.4 多相位压控振荡器 | 第31-33页 |
| 2.4.1 RC-CR相移法 | 第31-32页 |
| 2.4.2 频分器分频法 | 第32-33页 |
| 2.4.3 耦合法 | 第33页 |
| 2.5 相位噪声分析 | 第33-40页 |
| 2.5.1 相位噪声 | 第33-34页 |
| 2.5.2 相位噪声模型 | 第34-40页 |
| 2.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第3章 低功耗低噪声正交压控振荡器设计 | 第41-53页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 传统正交压控振荡器的改进设计 | 第41-46页 |
| 3.2.1 电路分析 | 第41-43页 |
| 3.2.2 衬底耦合技术 | 第43-46页 |
| 3.3 性能优化 | 第46-49页 |
| 3.3.1 相位噪声分析及优化 | 第46-49页 |
| 3.3.2 功耗优化 | 第49页 |
| 3.4 仿真结果 | 第49-52页 |
| 3.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第4章 新型多相位压控振荡器设计 | 第53-64页 |
| 4.1 引言 | 第53-54页 |
| 4.2 多相位压控振荡器电路设计 | 第54页 |
| 4.3 电路分析 | 第54-60页 |
| 4.3.1 二次谐波耦合分析 | 第54-55页 |
| 4.3.2 多相产生原理 | 第55-56页 |
| 4.3.3 全PMOS结构 | 第56-57页 |
| 4.3.4 背栅耦合结构 | 第57-59页 |
| 4.3.5 正向偏置分析 | 第59-60页 |
| 4.4 仿真结果 | 第60-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
| 附录A (攻读硕士学位期间所发表的学术论文目录) | 第74-75页 |
| 附录B (攻读硕士学位期间所参与的学术科研活动) | 第75页 |
