| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 概述 | 第11-22页 |
| 1.1 非易失性有机薄膜晶体管存储器的发展现状 | 第11-13页 |
| 1.2 非易失性有机薄膜晶体管存储器的工作原理 | 第13-17页 |
| 1.2.1 铁电体型有机薄膜晶体管存储器 | 第14-15页 |
| 1.2.2 浮栅有机薄膜晶体管存储器 | 第15-17页 |
| 1.3 非易失性有机薄膜晶体管存储器的结构及性能指标 | 第17-20页 |
| 1.3.1 非易失性有机薄膜晶体管存储器的结构 | 第17-19页 |
| 1.3.2 非易失性有机薄膜晶体管存储器的性能指标 | 第19-20页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第20-22页 |
| 第二章 基于金纳米粒子浮栅的非易失性双极有机薄膜晶体管存储器的研制 | 第22-39页 |
| 2.1 基于金属纳米粒子浮栅的非易失性双极有机薄膜晶体管存储器的概述 | 第22-23页 |
| 2.2 氧化钼电极修饰层对基于并五苯的有机薄膜晶体管性能影响的研究 | 第23-26页 |
| 2.2.1 器件制备流程 | 第24-25页 |
| 2.2.2 器件性能测试与分析 | 第25-26页 |
| 2.3 基于金纳米粒子浮栅四十四烷作为隧穿层的双极有机薄膜晶体管存储器的研究 | 第26-34页 |
| 2.3.1 器件制备流程 | 第26-27页 |
| 2.3.2 器件各功能层的形貌分析 | 第27-29页 |
| 2.3.3 器件性能测试与分析 | 第29-33页 |
| 2.3.4 对比器件测试 | 第33-34页 |
| 2.4 基于聚苯乙烯隧穿层的有机薄膜晶体管存储器的研究 | 第34-37页 |
| 2.4.1 聚苯乙烯用作隧穿层对器件性能影响的研究 | 第34-35页 |
| 2.4.2 基于异质结C60/Pentacene的有机薄膜晶体管存储器的研究 | 第35-37页 |
| 2.5 小结 | 第37-39页 |
| 第三章 基于铝纳米粒子浮栅有机薄膜晶体管存储器的光辅助编程多能级存储效应 | 第39-53页 |
| 3.1 基于铝纳米粒子浮栅的有机薄膜晶体管存储器的概述 | 第39页 |
| 3.2 基于铝纳米粒子浮栅有机存储器的光辅助编程多能级存储效应 | 第39-52页 |
| 3.2.1 器件制备流程 | 第39-41页 |
| 3.2.2 器件各功能层的形貌表征 | 第41-43页 |
| 3.2.3 器件性能测试与分析 | 第43-52页 |
| 3.3 小结 | 第52-53页 |
| 第四章 总结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-64页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第64-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
