| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9-10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-15页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 薄膜晶体管的研究概述与应用 | 第12-13页 |
| 1.3 本论文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 p型金属氧化物材料及器件的研究概述 | 第15-27页 |
| 2.1 p型金属氧化物半导体材料的分类 | 第15-20页 |
| 2.1.1 p型掺杂的普通氧化物 | 第15页 |
| 2.1.2 p型铜铁矿系氧化物CuMO_2 | 第15-17页 |
| 2.1.3 p型SnO金属氧化物 | 第17-20页 |
| 2.2 p型SnO薄膜晶体管的发展及研究概述 | 第20-27页 |
| 2.2.1 p型SnO薄膜晶体管发展历史 | 第20-24页 |
| 2.2.2 p型SnO薄膜晶体管结构及工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2.3 p型SnO薄膜晶体管器件参数分析 | 第25-27页 |
| 第三章 p型SnO薄膜晶体管制备方法 | 第27-41页 |
| 3.1 实验设备 | 第27-35页 |
| 3.1.1 射频磁控溅射系统 | 第27-29页 |
| 3.1.2 电子束蒸发系统 | 第29-32页 |
| 3.1.3 X射线衍射系统 | 第32-33页 |
| 3.1.4 扫描电子显微镜系统 | 第33-35页 |
| 3.2 p型SnO薄膜晶体管制备工艺 | 第35-41页 |
| 3.2.1 工艺流程图 | 第35-36页 |
| 3.2.2 衬底清洗 | 第36-37页 |
| 3.2.3 制备p型SnO TFT的沟道层 | 第37-39页 |
| 3.2.4 制备p型SnO薄膜晶体管的电极 | 第39页 |
| 3.2.5 p型SnO薄膜晶体管的退火处理 | 第39-41页 |
| 第四章 各个参数对p型SnO薄膜晶体管的影响 | 第41-53页 |
| 4.1 退火处理对SnO薄膜的影响 | 第41-44页 |
| 4.2 溅射功率对SnO薄膜的影响 | 第44-45页 |
| 4.3 沟道层厚度对p型SnO薄膜晶体管的影响 | 第45-48页 |
| 4.4 金属电极对p型SnO薄膜晶体管的影响 | 第48-50页 |
| 4.5 Shadow Mask对p型SnO薄膜晶体管的影响 | 第50-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 5.1 结论 | 第53-54页 |
| 5.2 展望 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第60页 |