| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-24页 |
| 1.1 介绍 | 第10-12页 |
| 1.1.1 研究现状 | 第10-11页 |
| 1.1.2 VO_2的应用 | 第11-12页 |
| 1.2 VO_2金属绝缘相变 | 第12-20页 |
| 1.2.1 晶相结构 | 第12-15页 |
| 1.2.2 轨道分布 | 第15-17页 |
| 1.2.3 相变机制 | 第17-18页 |
| 1.2.4 物理性质 | 第18-20页 |
| 1.3 VO_2的掺杂 | 第20-22页 |
| 1.3.1 金属掺杂VO_2的方法 | 第21页 |
| 1.3.2 掺杂VO_2性质的改变 | 第21-22页 |
| 1.3.3 钛掺杂 | 第22页 |
| 1.4 本章小结 | 第22-24页 |
| 第二章 Ti_xV_(1-x)O_2薄膜的制备 | 第24-39页 |
| 2.1 磁控溅射原理 | 第24-26页 |
| 2.1.1 阴极溅射 | 第24-25页 |
| 2.1.2 磁控溅射 | 第25-26页 |
| 2.2 共溅射-氧化耦合法制备Ti_xV_(1-x)O_2薄膜 | 第26-28页 |
| 2.2.1 磁控溅射金属薄膜 | 第26-28页 |
| 2.2.2 氧化生成Ti_xV_(1-x)O_2薄膜 | 第28页 |
| 2.3 Ti_xV_(1-x)O_2薄膜的表征与分析 | 第28-38页 |
| 2.3.1 薄膜电阻分析 | 第29-31页 |
| 2.3.2 透射电镜扫描分析 | 第31-32页 |
| 2.3.3 XRD扫描分析 | 第32-35页 |
| 2.3.4 XPS谱图分析 | 第35-36页 |
| 2.3.5 紫外-红外透射光谱分析 | 第36-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第三章 轨道占据调控VO_2相变温度 | 第39-49页 |
| 3.1 Ti_xV_(1-x)O_2样品的轨道分布 | 第39-43页 |
| 3.1.1 光谱拟合分析方法 | 第39-41页 |
| 3.1.2 d_(‖)轨道和π~*轨道的能级变化 | 第41-43页 |
| 3.1.3 d_(‖)轨道和π~*轨道的分离 | 第43页 |
| 3.2 第一性原理计算 | 第43-46页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第43-44页 |
| 3.2.2 计算参数 | 第44-45页 |
| 3.2.3 计算结果 | 第45-46页 |
| 3.3 相变温度的改变 | 第46-48页 |
| 3.3.1 T_(MIT)与3d轨道的联系 | 第46-47页 |
| 3.3.2 轨道电子占据调控T_(MIT) | 第47-48页 |
| 3.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 第四章 总结 | 第49-51页 |
| 4.1 论文总结 | 第49页 |
| 4.2 展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 附录 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第58页 |
