| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-16页 |
| ·研究背景 | 第9-10页 |
| ·射频功率放大器线性化技术的发展及研究现状 | 第10-15页 |
| ·论文的内容安排 | 第15-16页 |
| 第二章 射频功率放大器非线性特性分析 | 第16-29页 |
| ·线性与非线性 | 第16-17页 |
| ·功率放大器的非线性特性分析 | 第17-19页 |
| ·非线性失真的类型 | 第19-24页 |
| ·幅度-幅度失真(AM-AM)和幅度-相位失真(AM-PM) | 第19-21页 |
| ·谐波失真(Harmonic Distortion) | 第21-22页 |
| ·互调失真(Intermodulation Distortion) | 第22-23页 |
| ·交调失真(Crossmodulation Distortion) | 第23-24页 |
| ·功率放大器的非线性指标 | 第24-26页 |
| ·输出功率1dB 压缩点(P1dB) | 第24页 |
| ·三阶截断点(IP3) | 第24-25页 |
| ·邻信道功率比、同信道功率比、噪声功率比和多音互调比 | 第25-26页 |
| ·功率放大器中的记忆效应 | 第26-29页 |
| 第三章 器件级线性化技术 | 第29-61页 |
| ·放大器小信号互调失真(IMD)特性分析 | 第29-35页 |
| ·非线性漏源电流 | 第30页 |
| ·输出功率分析 | 第30-35页 |
| ·互调失真(IMD)的本征依赖性 | 第35-39页 |
| ·线性区的分析 | 第35-39页 |
| ·饱和区的分析 | 第39页 |
| ·互调失真(IMD)的外部依赖性 | 第39-47页 |
| ·小信号互调失真抵消效应(IMD Cancellation Effect) | 第39-42页 |
| ·漏极电压对IMD sweet spots 的影响 | 第42-43页 |
| ·温度对IMD sweet spots 的影响 | 第43页 |
| ·负载阻抗与栅极偏压对IMD sweet spots 的影响 | 第43-45页 |
| ·输入功率与栅极偏压对IMD sweet spots 的影响 | 第45-47页 |
| ·放大器大信号互调失真(IMD)特性分析 | 第47-52页 |
| ·非线性电容对互调失真(IMD)的影响 | 第52-53页 |
| ·带外阻抗对互调失真(IMD)的影响 | 第53-59页 |
| ·小结 | 第59-61页 |
| 第四章 射频模拟预失真 | 第61-94页 |
| ·预失真基本原理 | 第61-62页 |
| ·预失真理想情况分析 | 第62-63页 |
| ·提高预失真器性能的限制因素 | 第63-78页 |
| ·高阶互调失真项的影响 | 第63-66页 |
| ·幅度与相位的匹配误差 | 第66-69页 |
| ·延时失配效应 | 第69-74页 |
| ·记忆效应 | 第74-78页 |
| ·射频模拟预失真器 | 第78-92页 |
| ·二极管自偏置效应 | 第79-81页 |
| ·传统的射频模拟预失真器 | 第81页 |
| ·改进后的射频预失真器 | 第81-92页 |
| ·小结 | 第92-94页 |
| 第五章 总结与展望 | 第94-96页 |
| 致谢 | 第96-97页 |
| 参考文献 | 第97-100页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第100-101页 |
