| 中文摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-30页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 过渡金属硫族化合物简介 | 第10-14页 |
| 1.3 TMDCs材料载流子传输与散射机理 | 第14-16页 |
| 1.4 WSe_2的结构 | 第16-18页 |
| 1.5 二维TMDCs材料的制备方法 | 第18-24页 |
| 1.5.1“自上而下”剥离制备方法 | 第18-21页 |
| 1.5.2“自下而上”合成制备方法 | 第21-24页 |
| 1.6 二维TMDCs材料的应用 | 第24-28页 |
| 1.7 选题背景及主要研究内容 | 第28-30页 |
| 第二章 实验材料设备及表征技术 | 第30-37页 |
| 2.1 实验材料设备 | 第30-32页 |
| 2.1.1 实验材料 | 第30页 |
| 2.1.2 实验设备 | 第30-31页 |
| 2.1.3 CVD生长设备 | 第31-32页 |
| 2.2 二维TMDCs材料表征技术 | 第32-37页 |
| 2.2.1 光学显微镜 | 第33-34页 |
| 2.2.2 拉曼光谱 | 第34-35页 |
| 2.2.3 扫描电子显微镜 | 第35页 |
| 2.2.4 原子力显微镜 | 第35页 |
| 2.2.5 光致发光谱 | 第35-37页 |
| 第三章 WSe_2薄膜CVD法制备及生长调控 | 第37-45页 |
| 3.1 本章引论 | 第37页 |
| 3.2 化学沉积法原理介绍 | 第37-38页 |
| 3.3 实验部分 | 第38-39页 |
| 3.3.1 衬底的处理 | 第39页 |
| 3.3.2 实验流程 | 第39页 |
| 3.4 WSe_2薄膜的生长调控与生长机理研究 | 第39-43页 |
| 3.4.1 前驱物钨源与衬底之间距离的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响 | 第40-41页 |
| 3.4.2 温度的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响 | 第41-42页 |
| 3.4.3 前驱物钨源量的调控以及对WSe_2薄膜生长的影响 | 第42-43页 |
| 3.5 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 WSe_2薄膜的表征分析与光学性质的研究 | 第45-54页 |
| 4.1 本章引论 | 第45页 |
| 4.2 单层WSe_2薄膜的表征分析 | 第45-49页 |
| 4.2.1 单层WSe_2薄膜的光学显微镜表征 | 第45-46页 |
| 4.2.2 单层WSe_2薄膜的扫描电子显微镜表征 | 第46-47页 |
| 4.2.3 单层WSe_2的原子力显微镜表征 | 第47-48页 |
| 4.2.4 单层WSe_2的拉曼光谱表征 | 第48-49页 |
| 4.3 不同层数的WSe_2薄膜发光性质研究 | 第49-52页 |
| 4.3.1 不同层数的WSe_2薄膜拉曼光谱 | 第50-51页 |
| 4.3.2 不同层数的WSe_2薄膜光致发光谱 | 第51-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 结论与展望 | 第54-56页 |
| 5.1 主要结论 | 第54-55页 |
| 5.2 研究展望 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-60页 |
| 在学期间的研究成果 | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
