光栅耦合型硅基混合集成锗光电探测器设计及制备研究
摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5页 |
1 绪论 | 第8-13页 |
1.1 引言 | 第8-9页 |
1.2 国内外进展 | 第9-11页 |
1.3 本论文主要研究工作 | 第11-13页 |
2 硅基混合集成锗光电探测器设计 | 第13-26页 |
2.1 光电探测器的性能参数 | 第13-14页 |
2.2 光电探测器的电学结构 | 第14-20页 |
2.3 光耦合方式 | 第20-22页 |
2.4 混合集成技术 | 第22-24页 |
2.5 设计方案小结 | 第24-26页 |
3 光栅耦合器 | 第26-48页 |
3.1 理论分析方法 | 第26-31页 |
3.2 数值计算方法 | 第31-33页 |
3.3 光栅-光纤耦合 | 第33-41页 |
3.4 光栅-探测器耦合 | 第41-47页 |
3.5 本章小结 | 第47-48页 |
4 晶片 BCB 键合工艺研究 | 第48-66页 |
4.1 BCB 胶的性质 | 第48-52页 |
4.2 键合工艺流程 | 第52-55页 |
4.3 相关测试方法 | 第55-58页 |
4.4 键合参数优化 | 第58-65页 |
4.5 本章小结 | 第65-66页 |
5 硅基混合集成锗光电探测器制备及相关测试 | 第66-77页 |
5.1 光栅耦合器制备 | 第66-68页 |
5.2 光栅耦合器测试 | 第68-71页 |
5.3 键合对准 | 第71-75页 |
5.4 电学测试 | 第75-76页 |
5.5 本章小结 | 第76-77页 |
6 总结与展望 | 第77-79页 |
致谢 | 第79-80页 |
参考文献 | 第80-83页 |