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光栅耦合型硅基混合集成锗光电探测器设计及制备研究

摘要第4-5页
Abstract第5页
1 绪论第8-13页
    1.1 引言第8-9页
    1.2 国内外进展第9-11页
    1.3 本论文主要研究工作第11-13页
2 硅基混合集成锗光电探测器设计第13-26页
    2.1 光电探测器的性能参数第13-14页
    2.2 光电探测器的电学结构第14-20页
    2.3 光耦合方式第20-22页
    2.4 混合集成技术第22-24页
    2.5 设计方案小结第24-26页
3 光栅耦合器第26-48页
    3.1 理论分析方法第26-31页
    3.2 数值计算方法第31-33页
    3.3 光栅-光纤耦合第33-41页
    3.4 光栅-探测器耦合第41-47页
    3.5 本章小结第47-48页
4 晶片 BCB 键合工艺研究第48-66页
    4.1 BCB 胶的性质第48-52页
    4.2 键合工艺流程第52-55页
    4.3 相关测试方法第55-58页
    4.4 键合参数优化第58-65页
    4.5 本章小结第65-66页
5 硅基混合集成锗光电探测器制备及相关测试第66-77页
    5.1 光栅耦合器制备第66-68页
    5.2 光栅耦合器测试第68-71页
    5.3 键合对准第71-75页
    5.4 电学测试第75-76页
    5.5 本章小结第76-77页
6 总结与展望第77-79页
致谢第79-80页
参考文献第80-83页

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