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强关联材料电子态密度能谱计算与模拟

致谢第5-6页
摘要第6-7页
ABSTRACT第7页
第1章 绪论第13-23页
    1.1 铜氧化物高温超导体第13-17页
    1.2 重费米子材料第17-19页
    1.3 小结第19页
    1.4 本论文的研究内容第19-21页
    参考文献第21-23页
第2章 扫描隧道显微镜及其能谱图第23-38页
    2.1 STM隧穿电流理论第23-27页
        2.1.1 金属-绝缘体-金属隧道结(MIM)隧穿第23-24页
        2.1.2 BARDEEN隧穿电流理论第24-25页
        2.1.3 格林函数方法直接求隧穿电流第25-27页
    2.2 STM钡测量第27-32页
        2.2.1 形貌图(TOPOGRAPHY)第27-28页
        2.2.2 能谱图(STS)第28-30页
        2.2.3 影响STM扫图质量的因素第30-32页
    2.3 其他表面测量仪器与STM比较第32-34页
        2.3.1 角分辨光电子能谱(ARPES)第32-33页
        2.3.2 中子散射(NEUTRON SCATTERING)第33-34页
    2.4 小结第34-35页
    参考文献第35-38页
第3章 不同对称性超导体(S波、D波)的一般性STM相关计算第38-59页
    3.1 紧束缚模型第38-40页
    3.2 准粒子干涉与STM第40-55页
        3.2.1 s波、D波超导体与STM的DI/DV能谱第42-51页
            3.2.1.1 s波超导体一般性质的模拟计算第43-49页
            3.2.1.2 D波超导体一般性质的模拟计算第49-51页
        3.2.2 FT-STS方法在FRIEDEL振荡中的应用第51-55页
    3.3 用单粒子延迟格林函数GR推导LDOS和DI/DV第55-56页
    3.4 小结第56-57页
    参考文献第57-59页
第4章 高温铜氧化物超导体和重费米子材料实例计算第59-88页
    4.1 高温铜氧化物超导体第59-71页
        4.1.1 BSCCO能带计算第59-61页
        4.1.2 八重矢量模型(OCTET MODEL)第61-63页
        4.1.3 联合态密度(JOINT DOS)的计算第63-65页
        4.1.4 比较格林函数方法与箱态密度法求DOS第65-71页
    4.2 重费米子材料第71-85页
        4.2.1 CECOIN5的DI/DV能谱与准粒子干涉计算第71-82页
            4.2.1.1 格林函数方法求CECOIN5的DI/DV能谱第71-79页
            4.2.1.2 格林函数在QPI中的进一步应用第79-82页
        4.2.2 比较三种模型求SMB6的DI/DV能谱第82-85页
    4.3 小结第85-86页
    参考文献第86-88页
第5章 总结第88-89页
附录第89-93页

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