| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-21页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 量子霍尔效应 | 第8-10页 |
| 1.3 拓扑绝缘体研究现状 | 第10-17页 |
| 1.3.1 石墨烯—无质量狄拉克电子 | 第10-12页 |
| 1.3.2 二维拓扑绝缘体 | 第12-14页 |
| 1.3.3 三维拓扑绝缘体 | 第14-17页 |
| 1.4 Z2拓扑不变量 | 第17-19页 |
| 1.5 本论文的研究目的与意义 | 第19-21页 |
| 第2章 基础理论与计算方法 | 第21-27页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第21-24页 |
| 2.1.1 Hohenberg-Kohn理论 | 第21-22页 |
| 2.1.2 Kohn-Sham方程 | 第22-23页 |
| 2.1.3 交换关联函数 | 第23-24页 |
| 2.2 固体中的相对论效应——自旋轨道耦合 | 第24-25页 |
| 2.3 密度泛函的自洽过程及VASP程序包简介 | 第25-27页 |
| 第3章 新型狄拉克点材料的探索 | 第27-34页 |
| 3.1 引言 | 第27-29页 |
| 3.2 计算方法与模型 | 第29-30页 |
| 3.2.1 计算方法 | 第29页 |
| 3.2.2 Graphyne-H与Graphyne-F的结构分析 | 第29-30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-33页 |
| 3.3.1 能带及其电荷密度的分析 | 第30-32页 |
| 3.3.2 DOS分析 | 第32-33页 |
| 3.4 小结 | 第33-34页 |
| 第4章 应变调控二维拓扑绝缘体的能带结构 | 第34-44页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 计算方法与模型 | 第34-36页 |
| 4.2.1 计算方法 | 第34-35页 |
| 4.2.2 化学官能团修饰的硅烯与锡片的结构分析 | 第35-36页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第36-43页 |
| 4.3.1 应变对能带结构的调控 | 第36-41页 |
| 4.3.2 应变对相变的影响 | 第41-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 第5章 总结与展望 | 第44-46页 |
| 5.1 工作总结 | 第44页 |
| 5.2 工作展望 | 第44-46页 |
| 参考文献 | 第46-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 个人简历、攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第51页 |