| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 非晶硅薄膜太阳电池 | 第12-14页 |
| 1.2.2 P型氢化硅氧(SiO_x:H)薄膜材料 | 第14-15页 |
| 1.3 本论文的研究内容及研究方案 | 第15-17页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第15-16页 |
| 1.3.2 研究方案 | 第16-17页 |
| 第2章 硅氧薄膜制备方法与表征技术 | 第17-26页 |
| 2.1 样品制备 | 第17-18页 |
| 2.2 实验设备 | 第18-20页 |
| 2.3 实验材料 | 第20-21页 |
| 2.4 样品表征 | 第21-26页 |
| 2.4.1 X射线衍射(XRD)分析仪 | 第21-22页 |
| 2.4.2 拉曼(Raman)光谱测试仪 | 第22-23页 |
| 2.4.3 傅立叶变换红外（FTIR）光谱 | 第23页 |
| 2.4.4 紫外-可见-近红外分光光度计 | 第23-24页 |
| 2.4.5 暗电导率激活能测试 | 第24-26页 |
| 第3章 CO_2/SiH_4气体流量比对氢化硅氧(SiO_x:H)薄膜微结构和光电特性影响的研究 | 第26-39页 |
| 3.1 不同CO_2/SiH_4气体流量比SiO_x:H薄膜的实验制备 | 第27-28页 |
| 3.2 不同CO_2/SiH_4气体流量比对SiO_x:H薄膜微结构的影响 | 第28-33页 |
| 3.2.1 X射线衍射谱 | 第28-29页 |
| 3.2.2 Raman散射谱 | 第29-30页 |
| 3.2.3 傅里叶红外吸收（FT-IR）光谱 | 第30-33页 |
| 3.3 不同CO_2/SiH_4气体流量比对SiO_x:H薄膜光学性质的影响 | 第33-35页 |
| 3.3.1 透射谱 | 第33页 |
| 3.3.2 折射率 | 第33-34页 |
| 3.3.3 光学带隙 | 第34-35页 |
| 3.4 不同CO_2/SiH_4气体流量比对SiO_x:H薄膜电学性质的影响 | 第35-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第4章 H_2/SiH_4气体流量比对P型氢化硅氧薄膜微结构和光学性质影响的研究 | 第39-45页 |
| 4.1 不同H_2/SiH_4气体流量比a-SiO_x:H薄膜的实验制备 | 第39-40页 |
| 4.2 不同H_2/SiH_4气体流量比对a-SiO_x:H薄膜微结构的影响 | 第40-42页 |
| 4.2.1 X射线衍射谱 | 第40-41页 |
| 4.2.2 Raman谱 | 第41-42页 |
| 4.3 不同H_2/SiH_4气体流量比对a-SiO_x:H薄膜光学特性的影响 | 第42-44页 |
| 4.3.1 沉积速率 | 第42页 |
| 4.3.2 折射率 | 第42-43页 |
| 4.3.3 光学带隙 | 第43页 |
| 4.3.4 透射谱 | 第43-44页 |
| 4.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 硼掺杂比对氢化非晶硅氧(a-SiO_x:H)薄膜微结构及光电性质的研究 | 第45-56页 |
| 5.1 不同硼掺杂比SiO_x:H薄膜的实验制备 | 第45-47页 |
| 5.2 不同硼掺杂比对SiO_x:H薄膜微结构的影响 | 第47-50页 |
| 5.2.1 X射线衍射谱 | 第47-48页 |
| 5.2.2 Raman谱 | 第48-50页 |
| 5.3 不同硼掺杂比对SiO_x:H薄膜光学特性的影响 | 第50-53页 |
| 5.3.1 透射谱 | 第50-51页 |
| 5.3.2 光学带隙 | 第51-52页 |
| 5.3.3 折射率 | 第52-53页 |
| 5.4 不同硼掺杂比对SiO_x:H薄膜电学特性的影响 | 第53-55页 |
| 5.5 本章小结 | 第55-56页 |
| 第6章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 6.1 总结 | 第56-57页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-62页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文和研究成果 | 第62-63页 |
| 致谢 | 第63页 |
