CdS一维纳米结构的制备及其光电性能研究
| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体纳米材料 | 第11-12页 |
| 1.2.1 半导体纳米材料的研究进展 | 第11-12页 |
| 1.2.2 半导体纳米材料的特性 | 第12页 |
| 1.3 CdS纳米材料的制备 | 第12-15页 |
| 1.3.1 气相沉积法 | 第13-14页 |
| 1.3.2 电化学沉积法 | 第14页 |
| 1.3.3 水（溶剂）热合成法 | 第14页 |
| 1.3.4 模板法 | 第14-15页 |
| 1.4 CdS纳米材料的应用 | 第15-16页 |
| 1.5 光电探测器 | 第16-20页 |
| 1.5.1 光电探测器的发展 | 第16-17页 |
| 1.5.2 光电探测器的类型 | 第17-20页 |
| 1.6 本课题的研究内容 | 第20-22页 |
| 第2章 纯CdS纳米材料的制备及性能研究 | 第22-52页 |
| 2.1 引言 | 第22页 |
| 2.2 实验部分 | 第22-26页 |
| 2.2.1 主要仪器、化学试剂及材料 | 第22-23页 |
| 2.2.2 纯CdS微纳米样品的制备 | 第23-24页 |
| 2.2.3 基于CdS微纳米材料器件的制备 | 第24-25页 |
| 2.2.4 纯CdS样品的表征 | 第25-26页 |
| 2.3 实验结果与分析讨论 | 第26-51页 |
| 2.3.1 纯CdS的XRD分析 | 第26页 |
| 2.3.2 EDS能谱分析 | 第26-27页 |
| 2.3.3 样品的形貌分析 | 第27-28页 |
| 2.3.4 样品的透射分析 | 第28-29页 |
| 2.3.5 样品的光电导性能分析 | 第29-39页 |
| 2.3.6 机理分析 | 第39-40页 |
| 2.3.7 温度对样品光电导性能的影响 | 第40-41页 |
| 2.3.8 应力对样品光电导性能的影响 | 第41-44页 |
| 2.3.9 样品压阻性能研究 | 第44-48页 |
| 2.3.10 样品的光伏效应 | 第48-51页 |
| 2.4 本章小结 | 第51-52页 |
| 第3章 Ge掺杂CdS纳米材料的制备及性能研究 | 第52-73页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 实验部分 | 第52-53页 |
| 3.2.1 主要仪器、化学试剂及材料 | 第52页 |
| 3.2.2 Ge掺杂CdS微纳米样品的制备 | 第52-53页 |
| 3.2.3 基于Ge-CdS微纳米器件的制备 | 第53页 |
| 3.2.4 Ge-CdS样品的表征 | 第53页 |
| 3.3 实验结果与分析讨论 | 第53-72页 |
| 3.3.1 样品的XPS分析 | 第53-55页 |
| 3.3.2 样品的形貌分析 | 第55页 |
| 3.3.3 样品的透射分析 | 第55-56页 |
| 3.3.4 样品的光电导性能分析 | 第56-64页 |
| 3.3.5 机理分析 | 第64-65页 |
| 3.3.6 温度对样品光电导性能的影响 | 第65页 |
| 3.3.7 应力对样品光电导性能的影响 | 第65-67页 |
| 3.3.8 样品压阻性能研究 | 第67-70页 |
| 3.3.9 样品的光伏效应 | 第70-72页 |
| 3.4 本章小结 | 第72-73页 |
| 第4章 结论与展望 | 第73-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 参考文献 | 第76-83页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第83页 |
