| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-23页 |
| 1.1 前言 | 第11页 |
| 1.2 纳米材料的基本特性 | 第11-13页 |
| 1.3 纳米线材料的广泛应用 | 第13-16页 |
| 1.4 一维纳米结构的制备 | 第16-20页 |
| 1.4.1 VLS生长机制 | 第17-18页 |
| 1.4.2 SLS生长机制 | 第18-19页 |
| 1.4.3 其他生长机制 | 第19-20页 |
| 1.5 纳米线材料面临的挑战 | 第20-21页 |
| 1.6 本文主要研究内容 | 第21-23页 |
| 第2章 可控直径/周期有序Si纳米线阵列的制备 | 第23-39页 |
| 2.1 引言 | 第23-25页 |
| 2.2 MACE方法制备硅纳米线阵列 | 第25-29页 |
| 2.2.1 硅片的清洗 | 第25-26页 |
| 2.2.2 模板制备 | 第26-27页 |
| 2.2.3 金属薄膜的沉积 | 第27页 |
| 2.2.4 有序硅纳米阵列的实现 | 第27-29页 |
| 2.3 纳米线表面SiO_2层的制备 | 第29-31页 |
| 2.4 高温热氧化过程中的Si纳米线理论研究 | 第31-36页 |
| 2.4.1 纳米线应力分布 | 第31-34页 |
| 2.4.2 纳米线氧化层的生长动力学 | 第34-36页 |
| 2.5 可控D/P硅纳米线阵列的实现 | 第36-38页 |
| 2.6 本章小结 | 第38-39页 |
| 第3章 Si/SiO_2芯壳纳米线光学性质研究 | 第39-55页 |
| 3.1 引言 | 第39-40页 |
| 3.2 Si/SiO_2芯壳纳米线的制备 | 第40-42页 |
| 3.3 Si/SiO_2芯壳纳米线光学性质 | 第42-46页 |
| 3.3.1 光学模型的建立 | 第42-45页 |
| 3.3.2 SiO_2厚度对纳米线阵列光反射的影响 | 第45-46页 |
| 3.4 Si/SiO_2芯壳纳米线模式分析 | 第46-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第4章 硅基GaAs纳米线有序阵列的制备 | 第55-71页 |
| 4.1 引言 | 第55-57页 |
| 4.2 分子束外延技术简介 | 第57-61页 |
| 4.2.1 分子束外延的发展与基本原理 | 第57-59页 |
| 4.2.2 Varian GEN Ⅱ分子外延设备 | 第59-60页 |
| 4.2.3 反射高能电子衍射 | 第60-61页 |
| 4.3 硅基GaAs纳米线的外延生长 | 第61-65页 |
| 4.3.1 Au催化VLS生长GaAs纳米线 | 第63页 |
| 4.3.2 Ga自催化VLS生长GaAs纳米线 | 第63-65页 |
| 4.4 硅基Si/GaAs异质结纳米线的有序生长 | 第65-69页 |
| 4.4.1 有序硅纳米线衬底的制备 | 第66-68页 |
| 4.4.2 有序Si/GaAs纳米线的生长 | 第68-69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第5章 GaAs纳米线的钝化研究 | 第71-87页 |
| 5.1 引言 | 第71-72页 |
| 5.2 GaAs纳米线钝化的理论机制 | 第72-74页 |
| 5.3 PL谱实验测试系统 | 第74-77页 |
| 5.3.1 PL谱简介 | 第74-75页 |
| 5.3.2 搭建测试系统 | 第75-77页 |
| 5.4 纳米线表面态的影响 | 第77-85页 |
| 5.4.1 变温GaAs纳米线的PL测试 | 第77-78页 |
| 5.4.2 钝化对PL峰强的影响 | 第78-81页 |
| 5.4.3 PL谱峰相对强度的理论计算 | 第81-85页 |
| 5.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 第6章 结论与展望 | 第87-89页 |
| 参考文献 | 第89-101页 |
| 致谢 | 第101-103页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第103页 |