铝纳米晶的低温电阻率特性研究
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-23页 |
| 1.1 引言 | 第10-11页 |
| 1.2 金属材料电阻率 | 第11-21页 |
| 1.2.1 导体导电机理 | 第11-12页 |
| 1.2.2 电阻率的公式 | 第12页 |
| 1.2.3 Matthiessen定则及背离 | 第12-13页 |
| 1.2.4 电阻率随温度的变化 | 第13-18页 |
| 1.2.5 残余电阻率 | 第18-20页 |
| 1.2.6 小结 | 第20-21页 |
| 1.3 本论文的研究目的及主要研究内容 | 第21-23页 |
| 1.3.1 研究目的及意义 | 第21-22页 |
| 1.3.2 研究内容 | 第22-23页 |
| 2 纳米晶粉末、块体、薄膜的制备技术及表征手段 | 第23-36页 |
| 2.1 纳米晶粉末、块体、薄膜制备技术概述 | 第23-30页 |
| 2.1.1 纳米粉末的制备 | 第23-25页 |
| 2.1.2 纳米晶块体的制备 | 第25-26页 |
| 2.1.3 纳米晶薄膜的制备 | 第26-30页 |
| 2.2 纳米晶粉末、块体、薄膜性能的表征手段 | 第30-36页 |
| 2.2.1 密度 | 第30页 |
| 2.2.2 X射线衍射仪 | 第30-31页 |
| 2.2.3 透射电子显微镜 | 第31页 |
| 2.2.4 扫描电子显微镜 | 第31页 |
| 2.2.5 电阻率测量 | 第31-36页 |
| 3 铝纳米晶块体电阻率 | 第36-49页 |
| 3.1 实验方法 | 第36-40页 |
| 3.1.1 纳米铝粉的制备及表征 | 第36-38页 |
| 3.1.2 铝纳米晶块体制备及表征 | 第38-40页 |
| 3.2 铝纳米晶电阻率 | 第40-47页 |
| 3.2.1 铝纳米晶电阻率随温度变化 | 第40-47页 |
| 3.2.2 铝纳米晶残余电阻率的研究 | 第47页 |
| 3.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 4 铝纳米晶薄膜电阻率 | 第49-61页 |
| 4.1 实验方法 | 第49-52页 |
| 4.1.1 铝纳米晶薄膜的制备 | 第49页 |
| 4.1.2 铝纳米晶薄膜结构与形貌表征 | 第49-52页 |
| 4.2 铝纳米晶薄膜电阻率 | 第52-59页 |
| 4.2.1 铝纳米晶薄膜低温电阻率与温度关系 | 第52-56页 |
| 4.2.2 铝纳米晶薄膜残余电阻率 | 第56-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 5 全文总结及展望 | 第61-64页 |
| 5.1 主要结论 | 第61-62页 |
| 5.2 本文主要创新点 | 第62页 |
| 5.3 展望 | 第62-64页 |
| 5.3.1 实验装置改进 | 第62页 |
| 5.3.2 下一步实验 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文及研究成果 | 第72页 |
