| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-16页 |
| 1.1 目标隐身需求分析 | 第8页 |
| 1.2 红外隐身机理 | 第8-9页 |
| 1.3 红外隐身涂层中半导体涂料的研究现状 | 第9-10页 |
| 1.4 ZnO材料概述 | 第10-13页 |
| 1.4.1 ZnO晶体的基本性质 | 第10-11页 |
| 1.4.2 ZnO红外低发射性能及应用 | 第11-12页 |
| 1.4.3 ZnO材料的研究现状 | 第12-13页 |
| 1.5 本文的主要工作 | 第13-16页 |
| 1.5.1 主要研究工作 | 第13页 |
| 1.5.2 论文章节安排 | 第13-16页 |
| 第二章 研究方案设计与样品表征 | 第16-22页 |
| 2.1 实验研究的方案设计 | 第16-18页 |
| 2.1.1 实验方法的选择 | 第16页 |
| 2.1.2 实验中所用到的仪器设备与化学试剂 | 第16-17页 |
| 2.1.3 实验工艺流程与主要的反应机理 | 第17-18页 |
| 2.2 样品的表征方法 | 第18-20页 |
| 2.2.1 样品微观结构与形貌表征 | 第18-19页 |
| 2.2.2 样品的红外发射率表征 | 第19-20页 |
| 2.3 本章小结 | 第20-22页 |
| 第三章 ZnO低发射机理分析及材料结构设计 | 第22-62页 |
| 3.1 ZnO体相材料电子结构的理论计算 | 第22-29页 |
| 3.1.1 ZnO体相材料计算参数收敛性测试分析 | 第22-23页 |
| 3.1.2 ZnO体相材料的电子结构、布居及红外反射率结果分析 | 第23-29页 |
| 3.2 ZnO纳米线电子结构的理论研究 | 第29-61页 |
| 3.2.1 本征ZnO纳米线电子结构的理论研究 | 第29-33页 |
| 3.2.2 Al掺杂ZnO纳米线电子结构的理论研究 | 第33-42页 |
| 3.2.3 Sn掺杂ZnO纳米线电子结构的理论研究 | 第42-51页 |
| 3.2.4 Sb掺杂ZnO纳米线电子结构的理论研究 | 第51-61页 |
| 3.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 ZnO纳米粉体的制备与表征 | 第62-78页 |
| 4.1 正交实验设计 | 第62-64页 |
| 4.2 本征产物的物相形貌表征与结果分析 | 第64-69页 |
| 4.2.1 XRD表征 | 第64-66页 |
| 4.2.2 SEM和EDS表征 | 第66-67页 |
| 4.2.3 正交实验结果分析 | 第67-69页 |
| 4.3 ZnO纳米材料的水热生长机理研究 | 第69-71页 |
| 4.3.1 正交优化参数的验证 | 第69-70页 |
| 4.3.2 ZnO纳米粉体的生长机理 | 第70-71页 |
| 4.4 掺杂ZnO纳米材料 | 第71-76页 |
| 4.4.1 掺杂ZnO纳米粉体的XRD表征 | 第72-73页 |
| 4.4.2 掺杂ZnO纳米粉体的EDS表征 | 第73-74页 |
| 4.4.3 掺杂ZnO纳米粉体的SEM表征 | 第74-76页 |
| 4.5 本章小结 | 第76-78页 |
| 第五章 总结与展望 | 第78-80页 |
| 5.1 工作总结 | 第78-79页 |
| 5.2 展望 | 第79-80页 |
| 参考文献 | 第80-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
