| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 课题背景及研究的意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-12页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第12-13页 |
| 第2章 空间辐射环境及其效应的研究 | 第13-24页 |
| 2.1 空间辐射环境介绍 | 第13-17页 |
| 2.1.1 地球辐射带 | 第14-15页 |
| 2.1.2 太阳宇宙射线 | 第15-16页 |
| 2.1.3 银河宇宙射线 | 第16页 |
| 2.1.4 空间核爆辐射环境 | 第16-17页 |
| 2.2 空间轨道系统及辐射剂量 | 第17-21页 |
| 2.2.1 卫星轨道 | 第17-18页 |
| 2.2.2 航天器轨道环境中的辐射分布 | 第18-20页 |
| 2.2.3 卫星轨道与空间辐射剂量值 | 第20-21页 |
| 2.3 空间辐射对半导体器件的损伤与机理 | 第21-23页 |
| 2.3.1 辐射效应 | 第21-22页 |
| 2.3.2 高能射线与半导体器件材料的相互作用 | 第22-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 空间辐射对SRAM型FPGA性能影响的研究 | 第24-40页 |
| 3.1 SRAM型FPGA简介 | 第24-28页 |
| 3.1.1 SRAM型FPGA芯片结构 | 第24-26页 |
| 3.1.2 SRAM型FPGA的工作原理 | 第26-27页 |
| 3.1.3 SRAM型FPGA工艺 | 第27-28页 |
| 3.2 MOSFET的工作原理 | 第28-31页 |
| 3.2.1 MOSFET的基本结构 | 第28页 |
| 3.2.2 Si-SiO_2系统的电荷性质 | 第28-31页 |
| 3.3 空间辐射对MOSFET参数的影响 | 第31-38页 |
| 3.3.1 对阈值电压的影响 | 第32-36页 |
| 3.3.2 对漏电流的影响 | 第36-38页 |
| 3.4 辐照实验参数的选取 | 第38页 |
| 3.5 本章小结 | 第38-40页 |
| 第4章 SRAM型FPGA总剂量效应的实验研究 | 第40-65页 |
| 4.1 实验方案 | 第40-50页 |
| 4.1.1 实验条件 | 第40页 |
| 4.1.2 实验对象 | 第40-43页 |
| 4.1.3 实验布局 | 第43-44页 |
| 4.1.4 测试方案的设计 | 第44-50页 |
| 4.2 辐射前测试 | 第50-53页 |
| 4.3 总剂量效应实验结果及分析 | 第53-61页 |
| 4.4 退火效应实验结果及分析 | 第61-64页 |
| 4.5 本章小结 | 第64-65页 |
| 结论 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-71页 |
| 致谢 | 第71页 |