基于循环校验的机载SRAM型存储单元单粒子翻转加固设计研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究的背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 单粒子效应及单粒子翻转 | 第10-12页 |
| 1.3 单粒子容错技术 | 第12-14页 |
| 1.4 论文的主要内容及结构 | 第14-15页 |
| 第二章 硬件系统设计 | 第15-23页 |
| 2.1 硬件系统概述 | 第15页 |
| 2.2 电源模块设计 | 第15-18页 |
| 2.2.1 主控系统电源设计 | 第16-17页 |
| 2.2.2 测试系统电源设计 | 第17-18页 |
| 2.3 下载调试部分 | 第18-20页 |
| 2.3.1 主控模块下载调试部分 | 第18-19页 |
| 2.3.2 测试模块下载调试部分 | 第19-20页 |
| 2.4 配置数据获取部分 | 第20页 |
| 2.5 时钟复位部分 | 第20-21页 |
| 2.6 串口接口模块 | 第21页 |
| 2.7 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 测试系统的设计与实现 | 第23-36页 |
| 3.1 测试系统总体设计 | 第23页 |
| 3.2 RS232接口设计 | 第23-25页 |
| 3.2.1 RS232串口传输协议 | 第23-24页 |
| 3.2.2 时钟部分 | 第24页 |
| 3.2.3 接收模块部分 | 第24-25页 |
| 3.2.4 发送模块部分 | 第25页 |
| 3.3 配置码流转存模块 | 第25-27页 |
| 3.4 SelectMAP配置模式 | 第27-28页 |
| 3.5 配置位翻转的实现 | 第28-35页 |
| 3.5.1 配置位翻转的过程 | 第28-30页 |
| 3.5.2 配置位翻转的状态机 | 第30-31页 |
| 3.5.3 配置存储地址 | 第31-32页 |
| 3.5.4 配置数据的获取 | 第32-33页 |
| 3.5.5 配置位翻转的实现 | 第33-35页 |
| 3.6 本章小结 | 第35-36页 |
| 第四章 程序加固设计及测试结果 | 第36-52页 |
| 4.1 循环冗余校验（CRC）加固方法 | 第36-41页 |
| 4.1.1 CRC的原理 | 第36-37页 |
| 4.1.2 CRC数学计算 | 第37-39页 |
| 4.1.3 CRC-16码单比特纠错思想及实现 | 第39-41页 |
| 4.2 基于CRC的加固总体设计 | 第41-43页 |
| 4.3 CRC校验值的计算 | 第43-44页 |
| 4.4 数据的存储及结果输出 | 第44-46页 |
| 4.5 SRAM存储数据单粒子翻转的加固测试 | 第46-51页 |
| 4.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 总结及展望 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 作者简介 | 第58页 |
