| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 团簇物理学的地位和发展简介 | 第9页 |
| 1.2 硅团簇以及金属掺杂硅团簇研究进展 | 第9-12页 |
| 1.3 过渡金属内包Si笼结构的研究进展 | 第12-13页 |
| 1.4 论文选题及其研究内容 | 第13-15页 |
| 2 基础理论和计算方法 | 第15-19页 |
| 2.1 密度泛函理论 | 第15-17页 |
| 2.1.1 Thomas-Fermi模型 | 第15-16页 |
| 2.1.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第16页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第16-17页 |
| 2.2 本文计算方法 | 第17-19页 |
| 3 从AgSi_n到Ag@Si_n的几何结构及性质分析 | 第19-37页 |
| 3.1 引言 | 第19页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第19-36页 |
| 3.2.1 AgSi_n团簇的几何结构演化 | 第19-29页 |
| 3.2.2 能量和相对稳定性分析 | 第29-33页 |
| 3.2.3 电子特性分析 | 第33-36页 |
| 3.3 小结 | 第36-37页 |
| 4 (MM’)@Si_(20)团簇的结构、稳定性和电子特性 | 第37-47页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 计算结果与分析 | 第37-46页 |
| 4.2.1 团簇几何结构 | 第37-40页 |
| 4.2.2 团簇稳定性分析 | 第40-44页 |
| 4.2.3 团簇的电子特性 | 第44-46页 |
| 4.3 小结 | 第46-47页 |
| 5 结论 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-56页 |
| 致谢 | 第56页 |