| 摘要 | 第6-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 文献综述 | 第15-39页 |
| 1.1 F-T合成催化剂概述 | 第16-27页 |
| 1.1.1 活性金属 | 第17-18页 |
| 1.1.2 载体的影响 | 第18-24页 |
| 1.1.2.1 载体种类 | 第18-22页 |
| 1.1.2.2 载体孔道的影响 | 第22-24页 |
| 1.1.2.3 载体表面性质的影响 | 第24页 |
| 1.1.3 助剂的影响 | 第24-27页 |
| 1.1.3.1 金属氧化物助剂 | 第25页 |
| 1.1.3.2 贵金属助剂 | 第25-26页 |
| 1.1.3.3 碱金属和碱土金属助剂 | 第26页 |
| 1.1.3.4 稀土金属助剂 | 第26-27页 |
| 1.2 有序介孔碳材料的制备 | 第27-29页 |
| 1.2.1 呼吸图案法 | 第27-28页 |
| 1.2.2 硬模板法 | 第28页 |
| 1.2.3 软模板法 | 第28页 |
| 1.2.4 溶胶凝胶法 | 第28-29页 |
| 1.3 研究内容 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-39页 |
| 第二章 实验试剂、设备与装置 | 第39-45页 |
| 2.1 实验试剂及设备 | 第39-40页 |
| 2.2 催化剂制备方法 | 第40-41页 |
| 2.2.1 有序介孔碳载体的制备 | 第40-41页 |
| 2.2.2 Co基催化剂的制备 | 第41页 |
| 2.3 催化剂的性能评价 | 第41-42页 |
| 2.4 产物分析 | 第42-43页 |
| 2.5 催化剂表征方法 | 第43-45页 |
| 2.5.1 N_2物理吸附-脱附表征 | 第43页 |
| 2.5.2 XRD表征 | 第43页 |
| 2.5.3 H_2-TPR表征 | 第43页 |
| 2.5.4 TGA表征 | 第43-44页 |
| 2.5.5 SEM表征 | 第44-45页 |
| 第三章 载体孔道对Co/CMK-3催化剂F-T反应性能的影响 | 第45-58页 |
| 引言 | 第45页 |
| 3.1 催化剂的制备 | 第45-46页 |
| 3.1.1 有序介孔碳载体的制备 | 第45-46页 |
| 3.1.2 Co基催化剂的制备 | 第46页 |
| 3.2 结果与讨论 | 第46-55页 |
| 3.2.1 载体和Co基催化剂的结构特征 | 第46-51页 |
| 3.2.2 Co催化剂的分散度和还原性能 | 第51-53页 |
| 3.2.3 Co基催化剂上F-T反应性能 | 第53-55页 |
| 3.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 参考文献 | 第56-58页 |
| 第四章 SBA-15的碳修饰对Co基催化剂结构与F-T反应性能的影响 | 第58-67页 |
| 引言 | 第58页 |
| 4.1 催化剂的制备 | 第58-60页 |
| 4.1.1 载体的制备 | 第58-59页 |
| 4.1.2 Co基催化剂的制备 | 第59页 |
| 4.1.3 催化剂的性能评价 | 第59-60页 |
| 4.2 结果与讨论 | 第60-64页 |
| 4.2.1 Co基催化剂的结构特征 | 第60-61页 |
| 4.2.2 Co催化剂的分散度和还原性能 | 第61-64页 |
| 4.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第五章 PS有序多孔膜制备及其修饰的Co/SBA-15 的F-T反应性能的研究 | 第67-81页 |
| 引言 | 第67-68页 |
| 5.1 实验 | 第68页 |
| 5.1.1 多孔膜的制备 | 第68页 |
| 5.1.2 Co基催化剂的制备 | 第68页 |
| 5.2 结果与讨论 | 第68-74页 |
| 5.2.1 制膜溶液量对孔结构的影响 | 第68-70页 |
| 5.2.2 制膜溶液浓度对孔结构的影响 | 第70-71页 |
| 5.2.3 环境湿度对多孔结构的影响 | 第71-72页 |
| 5.2.4 流动气氛对孔结构的影响 | 第72-73页 |
| 5.2.5 涂覆次数对多孔结构的影响 | 第73-74页 |
| 5.3 Co基催化剂性质以及F-T反应性能 | 第74-76页 |
| 5.3.1 Co基催化剂的结构特征 | 第74页 |
| 5.3.2 Co基催化剂的分散度和还原性能 | 第74-76页 |
| 5.3.3 Co基催化剂上F-T反应性能 | 第76页 |
| 5.4 本章小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-81页 |
| 第六章 总结与展望 | 第81-84页 |
| 6.1 总结 | 第81-82页 |
| 6.2 展望 | 第82-84页 |
| 附录 | 第84-85页 |
| 致谢 | 第85页 |
