| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 引言 | 第8-20页 |
| 1.1 忆阻器的实现与忆阻器分类 | 第8-12页 |
| 1.1.1 HP-Memristor的实现 | 第8-10页 |
| 1.1.2 忆阻器的一般定义 | 第10-12页 |
| 1.2 忆阻器的基本特性与应用 | 第12-14页 |
| 1.2.1 忆阻器本质特性：紧缩滞回线特性 | 第12-13页 |
| 1.2.2 忆阻器研究现状及应用前景 | 第13-14页 |
| 1.3 自旋相关忆阻器 | 第14-19页 |
| 1.3.1 自旋电子学简介 | 第14-16页 |
| 1.3.2 自旋转移力矩（STT）效应 | 第16-18页 |
| 1.3.3 自旋转移力矩（STT）效应应用 | 第18页 |
| 1.3.4 自旋相关忆阻器研究现状 | 第18-19页 |
| 1.4 主要内容和安排 | 第19-20页 |
| 第二章 忆阻器基本特性 | 第20-28页 |
| 2.1 忆阻器常见模型以及Simulink仿真 | 第20-22页 |
| 2.1.1 忆阻模型电路 | 第20-21页 |
| 2.1.2 Simulink仿真简介 | 第21-22页 |
| 2.2 荷控忆阻器 | 第22-25页 |
| 2.2.1 荷控忆阻器建模 | 第22-23页 |
| 2.2.2 荷控忆阻器忆阻特性 | 第23-25页 |
| 2.3 磁控忆阻器 | 第25-27页 |
| 2.3.1 磁控忆阻器建模 | 第25页 |
| 2.3.2 磁控忆阻器忆阻特性 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 基于STT效应的自旋相关忆阻器研究 | 第28-45页 |
| 3.1 自旋转移力矩效应 | 第28-31页 |
| 3.1.1 LLGS方程求解过程 | 第28-30页 |
| 3.1.2 Runge-Kutta算法基本原理 | 第30-31页 |
| 3.2 STT效应特性研究 | 第31-37页 |
| 3.2.1 驱动电流对STT效应的影响 | 第31-33页 |
| 3.2.2 各向异性场H_k对STT效应的影响 | 第33-35页 |
| 3.2.3 阻尼因子ɑ对STT效应的影响 | 第35-37页 |
| 3.3 基于STT效应的自旋忆阻器特性研究 | 第37-44页 |
| 3.3.1 基于STT效应自旋阀结构忆阻器特性研究 | 第37-40页 |
| 3.3.2 基于STT效应隧道结构忆阻器特性研究 | 第40-43页 |
| 3.3.3 HP忆阻器与自旋忆阻器的比较 | 第43-44页 |
| 3.4 小结 | 第44-45页 |
| 第四章 基于N迁移效应的自旋相关忆阻器研究 | 第45-54页 |
| 4.1 基于N迁移效应自旋忆阻器模型及基本特性 | 第45-47页 |
| 4.2 器件可行性分析 | 第47-49页 |
| 4.3 ε-Fe_(2-3)N微结构与磁学特性 | 第49-51页 |
| 4.4 下一步工作计划 | 第51-53页 |
| 4.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结与展望 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第57-58页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |