摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
主要符号对照表 | 第9-11页 |
第1章 引言 | 第11-39页 |
1.1 引论 | 第11-12页 |
1.2 基于单层胶体晶体制备微纳米结构 | 第12-20页 |
1.2.1 大面积、高质量单层胶体晶体的制备 | 第12-14页 |
1.2.2 基于单层胶体晶体制备有序微纳米结构 | 第14-20页 |
1.3 单层胶体晶体衍生微纳米结构在LED器件中的应用 | 第20-36页 |
1.3.1 表面粗化 | 第21-22页 |
1.3.2 微透镜阵列 | 第22-24页 |
1.3.3 表面等离子体 | 第24-26页 |
1.3.4 光子晶体 | 第26-30页 |
1.3.5 纳米柱LED | 第30-32页 |
1.3.6 反射镜 | 第32-33页 |
1.3.7 图案化蓝宝石衬底 | 第33-35页 |
1.3.8 其他方法 | 第35-36页 |
1.4 研究思路和主要内容 | 第36-39页 |
第2章 高质量单层胶体晶体的制备 | 第39-57页 |
2.1 本章引言 | 第39-40页 |
2.2 实验部分 | 第40-42页 |
2.2.1 水热釜内热退火法 | 第40-41页 |
2.2.2 化学气相沉积法 | 第41-42页 |
2.2.3 样品表征 | 第42页 |
2.3 结果与讨论 | 第42-55页 |
2.3.1 水热釜内热退火法的机理 | 第42-43页 |
2.3.2 热退火过程中PS单层胶体晶体的形变过程及机理 | 第43-47页 |
2.3.3 热退火时间和温度对PS单层胶体晶体形貌的影响 | 第47-50页 |
2.3.4 热退火后PS单层胶体晶体的机械强度和晶体质量 | 第50-52页 |
2.3.5 化学气相沉积法的机理 | 第52-53页 |
2.3.6 沉积时间和载气流量对Si O2单层胶体晶体形貌的影响 | 第53-55页 |
2.4 本章小结 | 第55-57页 |
第3章 利用纳米图形衬底提高LED性能的研究 | 第57-79页 |
3.1 本章引言 | 第57-59页 |
3.2 实验部分 | 第59-61页 |
3.2.1 区域选择性化学腐蚀制备纳米图形化蓝宝石衬底 | 第59-61页 |
3.2.2 纳米图形化蓝宝石衬底上外延生长LED结构 | 第61页 |
3.2.3 样品表征 | 第61页 |
3.3 结果与讨论 | 第61-77页 |
3.3.1 湿化学腐蚀法制备带有纳米火山图案的蓝宝石衬底 | 第61-67页 |
3.3.2 湿化学腐蚀法制备带有纳米倒锥图案的蓝宝石衬底 | 第67-71页 |
3.3.3 PS胶体球间隙与腐蚀后蓝宝石图形的关系 | 第71-73页 |
3.3.4 外延Ga N材料的质量分析 | 第73-76页 |
3.3.5 LED器件结果分析 | 第76-77页 |
3.4 本章小结 | 第77-79页 |
第4章 利用胶体球光刻提高LED性能的研究 | 第79-100页 |
4.1 本章引言 | 第79-80页 |
4.2 实验部分 | 第80-83页 |
4.2.1 FDTD模拟条件 | 第80页 |
4.2.2 制备胶体晶体单层 | 第80-81页 |
4.2.3 胶体球光刻法制备有序多孔薄膜 | 第81-82页 |
4.2.4 样品表征 | 第82-83页 |
4.3 结果与讨论 | 第83-98页 |
4.3.1 利用胶体球曝光紫外厚胶及其应用 | 第83-89页 |
4.3.2 FDTD模拟胶体球曝光紫外薄胶过程 | 第89-92页 |
4.3.3 利用胶体纳米球曝光紫外薄胶及其应用 | 第92-94页 |
4.3.4 利用胶体微米球光刻制备六瓣花形孔 | 第94-95页 |
4.3.5 曝光和显影时间对紫外薄胶上有序孔尺寸的影响 | 第95-98页 |
4.4 本章小结 | 第98-100页 |
第5章 结论与展望 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-115页 |
致谢 | 第115-117页 |
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第117-119页 |