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高In组分InGaAs探测材料微光敏区表征方法研究

致谢第4-5页
摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
1 引言第12-34页
    1.1 红外辐射及应用第12-14页
    1.2 红外探测器及其发展趋势第14-16页
    1.3 InGaAs探测器及其研究进展第16-25页
        1.3.1 常规波长InGaAs探测器及其研究进展第16-21页
        1.3.2 延伸波长InGaAs探测器及研究进展第21-24页
        1.3.3 国内InGaAs探测器研究现状第24-25页
    1.4 InGa As焦平面探测器的前景与未来第25-26页
    1.5 InGaAs探测器关键技术与表征方法第26-32页
        1.5.1 InGaAs材料基本特性第26-27页
        1.5.2 InGa As探测器关键技术第27-31页
        1.5.3 InGaAs材料以及探测器表征方法第31-32页
    1.6 本论文的研究目的和主要内容第32-34页
2 InGaAs器件级材料表征方法研究第34-64页
    2.1 高分辨同步辐射X射线测试原理及发展第34-53页
        2.1.1 基于高分辨XRD的延伸波长InGaAs探测材料表征研究第36-41页
        2.1.2 基于同步辐射的延伸波长InGaAs探测材料的X射线衍射研究第41-53页
    2.2 表面光电压测试方法及原理第53-62页
        2.2.1 μ-PCD测试方法介绍第56-57页
        2.2.2 InGaAs探测材料的少子扩散长度研究第57-62页
    2.3 本章小结第62-64页
3 延伸波长InGaAs探测器微光敏区表征第64-82页
    3.1 EBIC测试方法及原理第64-69页
    3.2 EBIC测试与器件性能相关性研究第69-72页
    3.3 DLTS测试方法及原理第72-74页
    3.4 延伸波长InGaAs深能级缺陷研究第74-80页
    3.5 本章小结第80-82页
4 延伸波长InGaAs器件工艺优化研究第82-102页
    4.1 延伸波长InGaAs探测器退火工艺研究第82-88页
    4.2 延伸波长InGaAs探测器刻蚀工艺研究第88-96页
    4.3 延伸波长InGaAs探测器退火刻蚀集成验证第96-101页
    4.4 本章小结第101-102页
5 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器研究第102-110页
    5.1 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器制备第102-106页
    5.2 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器性能分析第106-108页
    5.3 本章小结第108-110页
6 全文总结与展望第110-114页
    6.1 全文总结第110-112页
    6.2 展望第112-114页
参考文献第114-123页
作者简介及在学期间发表学术论文及研究成果第123页

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