| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 1 引言 | 第12-34页 |
| 1.1 红外辐射及应用 | 第12-14页 |
| 1.2 红外探测器及其发展趋势 | 第14-16页 |
| 1.3 InGaAs探测器及其研究进展 | 第16-25页 |
| 1.3.1 常规波长InGaAs探测器及其研究进展 | 第16-21页 |
| 1.3.2 延伸波长InGaAs探测器及研究进展 | 第21-24页 |
| 1.3.3 国内InGaAs探测器研究现状 | 第24-25页 |
| 1.4 InGa As焦平面探测器的前景与未来 | 第25-26页 |
| 1.5 InGaAs探测器关键技术与表征方法 | 第26-32页 |
| 1.5.1 InGaAs材料基本特性 | 第26-27页 |
| 1.5.2 InGa As探测器关键技术 | 第27-31页 |
| 1.5.3 InGaAs材料以及探测器表征方法 | 第31-32页 |
| 1.6 本论文的研究目的和主要内容 | 第32-34页 |
| 2 InGaAs器件级材料表征方法研究 | 第34-64页 |
| 2.1 高分辨同步辐射X射线测试原理及发展 | 第34-53页 |
| 2.1.1 基于高分辨XRD的延伸波长InGaAs探测材料表征研究 | 第36-41页 |
| 2.1.2 基于同步辐射的延伸波长InGaAs探测材料的X射线衍射研究 | 第41-53页 |
| 2.2 表面光电压测试方法及原理 | 第53-62页 |
| 2.2.1 μ-PCD测试方法介绍 | 第56-57页 |
| 2.2.2 InGaAs探测材料的少子扩散长度研究 | 第57-62页 |
| 2.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 3 延伸波长InGaAs探测器微光敏区表征 | 第64-82页 |
| 3.1 EBIC测试方法及原理 | 第64-69页 |
| 3.2 EBIC测试与器件性能相关性研究 | 第69-72页 |
| 3.3 DLTS测试方法及原理 | 第72-74页 |
| 3.4 延伸波长InGaAs深能级缺陷研究 | 第74-80页 |
| 3.5 本章小结 | 第80-82页 |
| 4 延伸波长InGaAs器件工艺优化研究 | 第82-102页 |
| 4.1 延伸波长InGaAs探测器退火工艺研究 | 第82-88页 |
| 4.2 延伸波长InGaAs探测器刻蚀工艺研究 | 第88-96页 |
| 4.3 延伸波长InGaAs探测器退火刻蚀集成验证 | 第96-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 5 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器研究 | 第102-110页 |
| 5.1 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器制备 | 第102-106页 |
| 5.2 高密度亚10微米像元延伸波长InGaAs探测器性能分析 | 第106-108页 |
| 5.3 本章小结 | 第108-110页 |
| 6 全文总结与展望 | 第110-114页 |
| 6.1 全文总结 | 第110-112页 |
| 6.2 展望 | 第112-114页 |
| 参考文献 | 第114-123页 |
| 作者简介及在学期间发表学术论文及研究成果 | 第123页 |
