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超导JosephsonF遂道结的制备、性能研究及超导量子比特电路的结构探讨

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 前言第9-16页
    1.1 超导电子学基本理论第10-13页
        1.1.1 超导体的零电阻效应第10-11页
        1.1.2 超导体的比热研究第11-12页
        1.1.3 BCS理论:Cooper对模型第12-13页
    1.2 量子计算第13-16页
        1.2.1 量子位第13-14页
        1.2.2 量子计算的实现第14-16页
第二章 超导量子比特第16-39页
    2.1 量子器件的设计第16-17页
    2.2 SIS理论和约瑟夫森结第17-20页
        2.2.1 约瑟夫森效应第18-20页
        2.2.2 约瑟夫森效应在器件上的应用第20页
    2.3 超导量子干涉器件(SQUID)第20-23页
        2.3.1 直流DC-SQUID第21-22页
        2.3.2 射频RF-SQUID第22-23页
    2.4 超导磁通量子比特第23-30页
    2.5 超导磁通量子比特的制备第30-39页
        2.5.1 光刻—悬空掩膜结构的制备第30-33页
        2.5.2 电子束蒸发台—倾斜角度蒸发第33-39页
            2.5.2.1 制备过程简介第33-35页
            2.5.2.2 蒸发角度的调节第35页
            2.5.2.3 蒸发过程中遇到的问题第35-39页
第三章 超导Josephson隧道结的特性研究第39-46页
    3.1 特性研究的意义第39页
    3.2 Al/AlOx/Al超导隧道结成品图及Ⅰ-Ⅴ曲线第39-42页
    3.3 隧道结特性参数的研究第42-44页
    3.4 小结第44-46页
第四章 超导量子比特电路的结构探讨第46-52页
    4.1 量子隧穿效应第46-47页
    4.2 量子比特信号的测量第47-48页
    4.3 超导磁通量子比特电路设计方案的制备与测量第48-51页
        4.3.1 第一和第二种电路结构的制备与测量结果第48-49页
        4.3.2 第三种电路结构的制备与测量结果第49-51页
    4.4 总结第51-52页
参考文献第52-56页
攻读硕士期间发表或待发表的论文第56-57页
致谢第57-58页

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