摘要 | 第3-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
第一章 前言 | 第9-16页 |
1.1 超导电子学基本理论 | 第10-13页 |
1.1.1 超导体的零电阻效应 | 第10-11页 |
1.1.2 超导体的比热研究 | 第11-12页 |
1.1.3 BCS理论:Cooper对模型 | 第12-13页 |
1.2 量子计算 | 第13-16页 |
1.2.1 量子位 | 第13-14页 |
1.2.2 量子计算的实现 | 第14-16页 |
第二章 超导量子比特 | 第16-39页 |
2.1 量子器件的设计 | 第16-17页 |
2.2 SIS理论和约瑟夫森结 | 第17-20页 |
2.2.1 约瑟夫森效应 | 第18-20页 |
2.2.2 约瑟夫森效应在器件上的应用 | 第20页 |
2.3 超导量子干涉器件(SQUID) | 第20-23页 |
2.3.1 直流DC-SQUID | 第21-22页 |
2.3.2 射频RF-SQUID | 第22-23页 |
2.4 超导磁通量子比特 | 第23-30页 |
2.5 超导磁通量子比特的制备 | 第30-39页 |
2.5.1 光刻—悬空掩膜结构的制备 | 第30-33页 |
2.5.2 电子束蒸发台—倾斜角度蒸发 | 第33-39页 |
2.5.2.1 制备过程简介 | 第33-35页 |
2.5.2.2 蒸发角度的调节 | 第35页 |
2.5.2.3 蒸发过程中遇到的问题 | 第35-39页 |
第三章 超导Josephson隧道结的特性研究 | 第39-46页 |
3.1 特性研究的意义 | 第39页 |
3.2 Al/AlOx/Al超导隧道结成品图及Ⅰ-Ⅴ曲线 | 第39-42页 |
3.3 隧道结特性参数的研究 | 第42-44页 |
3.4 小结 | 第44-46页 |
第四章 超导量子比特电路的结构探讨 | 第46-52页 |
4.1 量子隧穿效应 | 第46-47页 |
4.2 量子比特信号的测量 | 第47-48页 |
4.3 超导磁通量子比特电路设计方案的制备与测量 | 第48-51页 |
4.3.1 第一和第二种电路结构的制备与测量结果 | 第48-49页 |
4.3.2 第三种电路结构的制备与测量结果 | 第49-51页 |
4.4 总结 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
攻读硕士期间发表或待发表的论文 | 第56-57页 |
致谢 | 第57-58页 |