| 学位论文数据集 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 引言 | 第14页 |
| 1.2 异质结半导体纳米材料 | 第14-19页 |
| 1.2.1 纳米结构半导体 | 第15页 |
| 1.2.2 纳米结构半导体分类 | 第15-16页 |
| 1.2.3 几种常见n/p型半导体 | 第16-18页 |
| 1.2.4 异质结 | 第18-19页 |
| 1.3 异质结半导体纳米材料的合成 | 第19-21页 |
| 1.3.1 水热/溶剂热法 | 第19页 |
| 1.3.2 溶胶凝胶法(Sol-gel) | 第19-20页 |
| 1.3.3 静电纺丝法 | 第20页 |
| 1.3.4 气相沉积法(PVD/CVD) | 第20-21页 |
| 1.3.5 超声化学合成法 | 第21页 |
| 1.3.6 液相/分子束外延技术 | 第21页 |
| 1.4 异质结半导体纳米材料的应用 | 第21-23页 |
| 1.4.1 气敏检测传感器 | 第21-22页 |
| 1.4.2 光催化剂 | 第22页 |
| 1.4.3 可充电电池应用 | 第22页 |
| 1.4.4 发光二极管 | 第22页 |
| 1.4.5 半导体异质结激光器 | 第22-23页 |
| 1.5 异质结提高半导体气敏性能机理 | 第23-26页 |
| 1.5.1 n/p型半导体的气敏检测机理 | 第23-24页 |
| 1.5.2 p-n结提高气敏机理 | 第24-26页 |
| 1.5.3 n-n结提高气敏机理 | 第26页 |
| 1.6 本论文选题意义及研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 实验部分 | 第28-32页 |
| 2.1 实验原材料和试剂 | 第28-29页 |
| 2.2 表征仪器 | 第29-30页 |
| 2.3 气敏性能测试 | 第30-32页 |
| 2.3.1 动态气敏测试 | 第30-31页 |
| 2.3.2 静态气敏测试 | 第31-32页 |
| 第三章 PTP-WO_3 p-n异质结杂化物的制备和室温下对二氧化氮气敏性能研究 | 第32-48页 |
| 3.1 引言 | 第32-33页 |
| 3.2 PTP-WO_3杂化物的制备 | 第33-34页 |
| 3.2.1 快速水热法制备三氧化钨纳米颗粒 | 第33页 |
| 3.2.2 合成PTP-WO_3杂化物 | 第33-34页 |
| 3.2.3 气敏元件的制备 | 第34页 |
| 3.3 结构表征 | 第34-42页 |
| 3.4 PTP-WO_3杂化物气敏性能 | 第42-47页 |
| 3.4.1 气敏影响因素 | 第42-44页 |
| 3.4.2 测试气敏暂态数据,检测极限和选择性 | 第44-46页 |
| 3.4.3 气敏机理 | 第46-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 Zno-SnO_2 n-n异质结复合物的制备及其在低温下对低宝NO_2气敏性能的研究 | 第48-64页 |
| 4.1 引言 | 第48-49页 |
| 4.2 ZnO-SnO_2空心球的制备 | 第49-52页 |
| 4.2.1 ZnO-SnO_2空心球方案 | 第49-50页 |
| 4.2.2 合成形貌调节 | 第50-52页 |
| 4.3 ZnO-SnO_2结构和形貌 | 第52-57页 |
| 4.4 ZnO-SnO_2空心球复合物的气敏性能 | 第57-62页 |
| 4.4.1 操作温度,气体浓度及ZnO复合量对气敏性能影响 | 第57-58页 |
| 4.4.2 暂态数据,响应恢复时间及选择性 | 第58-60页 |
| 4.4.3 气敏机理分析 | 第60-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-64页 |
| 第五章 结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 研究成果及发表的学术论文 | 第74-76页 |
| 作者和导师简介 | 第76-77页 |
| 附件 | 第77-78页 |
