基于二维拓扑绝缘体的磁开关和自旋过滤器
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4-5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-15页 |
| 1.1 霍尔效应和反常霍尔效应 | 第8-9页 |
| 1.2 量子霍尔效应 | 第9-10页 |
| 1.3 量子反常霍尔效应 | 第10-11页 |
| 1.4 量子自旋霍尔效应 | 第11-15页 |
| 1.4.1 自旋霍尔效应 | 第11-12页 |
| 1.4.2 量子自旋霍尔效应 | 第12-13页 |
| 1.4.3 量子自旋霍尔效应的拓扑保护 | 第13-15页 |
| 第二章 HgTe边缘态输运性质的磁调控 | 第15-29页 |
| 2.1 引言 | 第15-16页 |
| 2.2 理论模型 | 第16-19页 |
| 2.3 数值结果及讨论 | 第19-25页 |
| 2.3.1 体系能谱图 | 第19-20页 |
| 2.3.2 电导随费米能的变化 | 第20-23页 |
| 2.3.3 电子几率密度分布 | 第23-24页 |
| 2.3.4 电导随磁场的变化 | 第24-25页 |
| 2.4 自旋轨道耦合和塞曼效应的影响 | 第25-28页 |
| 2.4.1 理论计算 | 第25-26页 |
| 2.4.2 结果与分析 | 第26-28页 |
| 2.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 HgTe边缘态的自旋过滤 | 第29-38页 |
| 3.1 双磁势垒的自旋过滤 | 第29-32页 |
| 3.2 四磁势垒的自旋过滤 | 第32-37页 |
| 3.3 本章小结 | 第37-38页 |
| 第四章 全文总结 | 第38-39页 |
| 参考文献 | 第39-44页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-48页 |
