| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-27页 |
| 1.1 GaN HEMT高压大功率技术应用 | 第15-18页 |
| 1.2 增强型GaN HEMT | 第18-20页 |
| 1.3 中子辐射环境及位移损伤效应 | 第20-21页 |
| 1.4 功率器件辐照效应研究进展 | 第21-26页 |
| 1.4.1 传统高压功率器件辐照效应研究进展 | 第22-23页 |
| 1.4.2 GaN HEMT中子辐照效应研究进展 | 第23-26页 |
| 1.5 论文主要工作 | 第26-27页 |
| 第二章 GaN材料缺陷和GaN GIT位移损伤模型 | 第27-49页 |
| 2.1 GaN材料缺陷及辐射感生缺陷 | 第27-30页 |
| 2.1.1 GaN材料原生缺陷 | 第27-29页 |
| 2.1.2 GaN材料中子辐照感生缺陷 | 第29-30页 |
| 2.2 GaN材料及器件位移损伤效应 | 第30-33页 |
| 2.2.1 载流子去除率和陷阱引入率 | 第30-31页 |
| 2.2.2 位移损伤对非平衡载流子寿命的影响 | 第31-32页 |
| 2.2.3 位移损伤对GaN器件的影响 | 第32-33页 |
| 2.3 GaN GIT工艺、结构及基本原理 | 第33-36页 |
| 2.4 GaN GIT中子位移损伤模型 | 第36-38页 |
| 2.5 GaN GIT中子位移损伤计算 | 第38-46页 |
| 2.5.1 中子与材料的相互作用 | 第38页 |
| 2.5.2 强迫碰撞的基本思想 | 第38-39页 |
| 2.5.3 强迫碰撞的程序实现 | 第39-40页 |
| 2.5.4 几何模型 | 第40-42页 |
| 2.5.5 计算结果及讨论 | 第42-46页 |
| 2.6 小结 | 第46-49页 |
| 第三章 GaN GIT器件仿真与中子位移损伤效应仿真研究 | 第49-63页 |
| 3.1 SILVACO ATLAS工具中对体陷阱的定义 | 第49-51页 |
| 3.2 GaN GIT结构SILVACO建模及基本特性参数的仿真 | 第51-54页 |
| 3.3 GaN GIT中子位移损伤效应仿真 | 第54-59页 |
| 3.3.1 p型栅嵌入陷阱对器件性能的影响 | 第54-55页 |
| 3.3.2 沟道层嵌入陷阱后对器件性能的影响 | 第55-57页 |
| 3.3.3 器件整体嵌入陷阱后对性能的影响 | 第57-59页 |
| 3.4 仿真结果分析与讨论 | 第59-60页 |
| 3.5 小结 | 第60-63页 |
| 第四章 GaN GIT中子辐照实验 | 第63-77页 |
| 4.1 实样品及基本参数 | 第63-64页 |
| 4.2 中子辐照源及测试仪器 | 第64-66页 |
| 4.3 GaN GIT中子辐照实验 | 第66-74页 |
| 4.3.1 GIT位移损伤中子注量阈值预估实验 | 第67-70页 |
| 4.3.2 不同中子注量GaN GIT辐照效应实验 | 第70-74页 |
| 4.4 分析与讨论 | 第74-75页 |
| 4.5 小结 | 第75-77页 |
| 第五章 总结与展望 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-85页 |
| 致谢 | 第85-87页 |
| 作者简介 | 第87-88页 |
