| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-25页 |
| 1.1 概述 | 第15页 |
| 1.2 中子的探测 | 第15-19页 |
| 1.3 常用的中子辐照探测器的发展与应用 | 第19-22页 |
| 1.3.1 气体探测器 | 第19-20页 |
| 1.3.2 闪烁探测器 | 第20-21页 |
| 1.3.3 半导体中子探测器 | 第21-22页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第22-25页 |
| 第二章 SiC材料和SiC中子探测器的发展现状 | 第25-33页 |
| 2.1 SiC材料的基本性质 | 第25-29页 |
| 2.2 SiC中子辐照探测器的发展应用与现状 | 第29-33页 |
| 2.2.1 SiC中子探测器常用的结构 | 第29-30页 |
| 2.2.2 国外研究现状 | 第30-31页 |
| 2.2.3 国内研究现状 | 第31-33页 |
| 第三章 4H-SiC肖特基二极管型中子探测器的原理和结构设计 | 第33-45页 |
| 3.1 碳化硅肖特基二极管的工作原理 | 第33-34页 |
| 3.2 核反应法探测热中子的基本原理 | 第34-38页 |
| 3.2.1 热中子转换层材料的选择 | 第35-37页 |
| 3.2.2 测试原理 | 第37-38页 |
| 3.3 SiC肖特基二极管型中子核辐照探测器的结构设计 | 第38-43页 |
| 3.3.1 ~6LiF转换层厚度的确定 | 第38-39页 |
| 3.3.2 4H-SiC外延层厚度的确定 | 第39-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-45页 |
| 第四章 探测器使用的模型参数和模拟结果分析 | 第45-69页 |
| 4.1 α 粒子和3H粒子角分布能谱 | 第45-48页 |
| 4.1.1 蒙特卡洛计算方法和Fluka软件的介绍 | 第45-46页 |
| 4.1.2 α 粒子和3H粒子的角分布能谱 | 第46-48页 |
| 4.2 探测器仿真物理模型 | 第48-52页 |
| 4.3 仿真结果与分析 | 第52-67页 |
| 4.3.1 4H-SiC肖特基二极管的I-V特性 | 第52-54页 |
| 4.3.2 探测器对 α 粒子电流脉冲响应特性的分析 | 第54-62页 |
| 4.3.3 探测器对~3H粒子电流脉冲响应特性的分析 | 第62-66页 |
| 4.3.4 探测器对热中子电流脉冲响应特性的分析 | 第66-67页 |
| 4.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第五章 论文总结与研究展望 | 第69-71页 |
| 附录A | 第71-75页 |
| 参考文献 | 第75-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 作者简介 | 第79-80页 |
