| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-18页 |
| 1.1 自旋电子学与二维材料简介 | 第9-14页 |
| 1.2 过渡金属掺杂二维材料的研究现状 | 第14-16页 |
| 1.3 本文研究的主要内容 | 第16-18页 |
| 第2章 理论基础与研究方法 | 第18-25页 |
| 2.1 第一性原理计算的理论基础 | 第18-22页 |
| 2.1.0 密度泛函理论 | 第18页 |
| 2.1.1 Born-Oppenheimer绝热近似 | 第18页 |
| 2.1.2 Kohenberg-Kohnd定理 | 第18-19页 |
| 2.1.3 Kohn-Sham方程 | 第19-20页 |
| 2.1.4 交换关联泛函 | 第20-22页 |
| 2.1.5 赝势方法 | 第22页 |
| 2.2 计算软件 | 第22-23页 |
| 2.2.1 VASP计算软件包 | 第22页 |
| 2.2.2 PWscf计算软件包 | 第22-23页 |
| 2.3 AIM理论 | 第23页 |
| 2.4 Hubbard U值及线性响应理论 | 第23-25页 |
| 第3章 H原子化学修饰对过渡金属掺杂石墨烯的磁性调控 | 第25-36页 |
| 3.1 引言 | 第25-26页 |
| 3.2 计算方法和结构 | 第26-27页 |
| 3.3 计算结果分析 | 第27-35页 |
| 3.3.1 Hubbard U值对过渡金属掺杂石墨烯的影响 | 第27-31页 |
| 3.3.2 H原子化学修饰的磁性调控 | 第31-35页 |
| 3.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第4章 H/F原子化学修饰对过渡金属掺杂MoS_2的磁性调控 | 第36-46页 |
| 4.1 引言 | 第36-37页 |
| 4.2 计算方法和结构 | 第37-38页 |
| 4.3 计算结果分析 | 第38-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-46页 |
| 第5章 总结与展望 | 第46-48页 |
| 5.1 工作总结 | 第46-47页 |
| 5.2 工作展望 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文及研究成果 | 第55页 |
