| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 引言 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第9-11页 |
| 1.2 石墨烯的介绍 | 第11-14页 |
| 1.3 SiC的介绍 | 第14-18页 |
| 1.4 本文主要的研究内容 | 第18-20页 |
| 第2章 研究方法介绍 | 第20-26页 |
| 2.1 第一原理方法介绍 | 第20-21页 |
| 2.2 密度泛函理论 | 第21-24页 |
| 2.2.1 Kohn-Sham(沈吕九)方程 | 第21-22页 |
| 2.2.2 局域密度泛函近似(LDA) | 第22-23页 |
| 2.2.3 广义梯度近似(GGA) | 第23-24页 |
| 2.2.4 赝势 | 第24页 |
| 2.3 VASP软件简介 | 第24-25页 |
| 2.4 能量计算公式 | 第25-26页 |
| 第3章 6H-SiC表面原子解离和吸附行为 | 第26-38页 |
| 3.1 引言 | 第26-28页 |
| 3.2 6H-SiC(000-1)表面原子解离行为 | 第28-32页 |
| 3.2.1 计算模型 | 第28-29页 |
| 3.2.2 结果与讨论 | 第29-32页 |
| 3.3 6H-SiC(000-1)表面原子吸附行为 | 第32-36页 |
| 3.3.1 计算模型 | 第33页 |
| 3.3.2 C原子吸附在不同表面(ideal、V_C、V_(C-Si)和V_(C-Si-Si)) | 第33-35页 |
| 3.3.3 Si原子吸附在不同表面(ideal、V_C、V_(C-Si)和V_(C-Si-Si)) | 第35-36页 |
| 3.4 本章结论 | 第36-38页 |
| 第4章 Si原子在SiC和石墨烯层边界处的扩散行为 | 第38-49页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 Si原子在SiC(C面)和石墨烯层边界处的扩散行为 | 第38-43页 |
| 4.2.1 计算模型 | 第39-40页 |
| 4.2.2 结果与讨论 | 第40-43页 |
| 1) 通过完整石墨烯层 | 第40-42页 |
| 2) 通过空位缺陷石墨烯层 | 第42-43页 |
| 4.3 Si原子在SiC(Si面)和石墨烯层边界处的扩散行为 | 第43-47页 |
| 4.3.1 计算模型 | 第44-45页 |
| 4.3.2 结果与讨论 | 第45-47页 |
| 1) 通过完整石墨烯层 | 第45-46页 |
| 2) 通过空位缺陷石墨烯层 | 第46-47页 |
| 4.4 本章结论 | 第47-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 论文总结 | 第49-50页 |
| 5.2 工作展望 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 个人简历、在学期间完成的论文和科研情况 | 第55页 |
