| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-16页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第10-12页 |
| 1.2 IGBT建模方法综述 | 第12-14页 |
| 1.3 IGBT模块损耗计算方法综述 | 第14-15页 |
| 1.4 论文主要研究内容 | 第15-16页 |
| 2 IGBT模块的特性参数及测试方法 | 第16-32页 |
| 2.1 最大等级参数 | 第16-18页 |
| 2.2 静态特性参数 | 第18-20页 |
| 2.3 动态特性参数 | 第20-25页 |
| 2.3.1 驱动特性参数 | 第20-24页 |
| 2.3.2 开关特性参数 | 第24-25页 |
| 2.4 双脉冲实验 | 第25-29页 |
| 2.4.1 双脉冲实验的目的 | 第25-26页 |
| 2.4.2 双脉冲实验的电路和实验波形 | 第26-27页 |
| 2.4.3 双脉冲实验的设备和流程 | 第27-29页 |
| 2.5 反并联二极管安全性实验 | 第29-31页 |
| 2.5.1 反并联二极管的安全工作区 | 第29页 |
| 2.5.2 二极管安全性实验方法 | 第29-31页 |
| 2.6 本章小结 | 第31-32页 |
| 3 大功率IGBT模块的电路建模 | 第32-48页 |
| 3.1 开通过程建模原理 | 第32-37页 |
| 3.2 关断过程建模原理 | 第37-40页 |
| 3.3 IGBT开关过程仿真 | 第40-43页 |
| 3.3.1 IGBT开通过程仿真 | 第41页 |
| 3.3.2 IGBT关断过程仿真 | 第41-42页 |
| 3.3.3 IGBT双脉冲仿真 | 第42-43页 |
| 3.4 R_(GON)、R_(GOFF)和C_(GE)对于IGBT开通和关断过程的影响 | 第43-46页 |
| 3.4.1 R_(Gon)影响IGBT的开通过程 | 第43页 |
| 3.4.2 R_(Goff)影响IGBT的关断过程 | 第43-44页 |
| 3.4.3 C_(GE)影响IGBT的开通和关断过程 | 第44-45页 |
| 3.4.4 R_G与C_(GE)的选取方法 | 第45-46页 |
| 3.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 4 牵引变流器IGBT模块损耗计算 | 第48-58页 |
| 4.1 IGBT模块损耗的计算方法 | 第48-53页 |
| 4.1.1 导通损耗计算 | 第49-50页 |
| 4.1.2 开关损耗计算 | 第50-52页 |
| 4.1.3 图形界面编程损耗计算 | 第52-53页 |
| 4.2 损耗计算方法对比 | 第53-56页 |
| 4.2.1 Fuji IGBT Simulator损耗计算 | 第53-55页 |
| 4.2.2 损耗计算结果对比 | 第55-56页 |
| 4.3 本章小结 | 第56-58页 |
| 5 RC-IGBT模块特性研究 | 第58-76页 |
| 5.1 RC-IGBT模块的结构特征 | 第58-59页 |
| 5.2 RC-IGBT模块建模 | 第59-61页 |
| 5.3 RC-IGBT模块驱动方式 | 第61-63页 |
| 5.4 RC-IGBT模块和普通IGBT模块的损耗对比 | 第63-66页 |
| 5.5 RC-IGBT模块损耗实验 | 第66-68页 |
| 5.6 牵引变流器中RC-IGBT模块控制方式 | 第68-74页 |
| 5.7 本章小结 | 第74-76页 |
| 6 结论 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 作者简历及攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第80-84页 |
| 学位论文数据集 | 第84页 |
