| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 1 绪论 | 第12-30页 |
| 1.1 紫外探测器的发展概况 | 第12-16页 |
| 1.1.1 紫外探测器的军事应用 | 第12-13页 |
| 1.1.2 紫外探测器的民事应用 | 第13-14页 |
| 1.1.3 GaN基光电阴极在紫外探测器中的应用 | 第14-16页 |
| 1.2 GaN基光电阴极的研究进展 | 第16-27页 |
| 1.2.1 GaN光电阴极的研究进展 | 第16-23页 |
| 1.2.2 AlGaN光电阴极的研究进展 | 第23-27页 |
| 1.3 本文研究的背景及意义 | 第27-28页 |
| 1.3.1 本文研究的背景 | 第27-28页 |
| 1.3.2 本文研究的意义 | 第28页 |
| 1.4 本论文的主要工作 | 第28-30页 |
| 2 GaN基光电阴极的光电发射理论 | 第30-46页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 GaN的材料特性 | 第30-35页 |
| 2.2.1 GaN材料的结构特性 | 第30-32页 |
| 2.2.2 GaN的电学特性 | 第32-33页 |
| 2.2.3 GaN的光学特性 | 第33-35页 |
| 2.3 AlGaN的材料特性 | 第35-38页 |
| 2.3.1 AlGaN结构特性 | 第35页 |
| 2.3.2 AlGaN材料的光学特性 | 第35-38页 |
| 2.4 光电阴极的光电发射理论 | 第38-45页 |
| 2.4.1 光电发射三步模型 | 第38-40页 |
| 2.4.2 结构设计在提高阴极量子效率方面的作用 | 第40-44页 |
| 2.4.3 制备工艺对提高量子效率的影响 | 第44-45页 |
| 2.5 本章小结 | 第45-46页 |
| 3 GaN光电阴极的结构设计 | 第46-58页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 GaN光电阴极的初步结构设计 | 第46-47页 |
| 3.3 GaN光电阴极的结构设计 | 第47-56页 |
| 3.3.1 衬底的选择 | 第48-49页 |
| 3.3.2 缓冲层的设计 | 第49页 |
| 3.3.3 电子发射层厚度和掺杂浓度的设计 | 第49-51页 |
| 3.3.4 梯度掺杂结构的应用 | 第51-55页 |
| 3.3.5 变Al组分结构的设计 | 第55-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 反射式GaN光电阴极的制备 | 第58-77页 |
| 4.1 引言 | 第58页 |
| 4.2 光电阴极多信息量在线测试系统概述 | 第58-63页 |
| 4.2.1 多信息量在线测试系统的组成 | 第59-62页 |
| 4.2.2 测试系统的改进 | 第62-63页 |
| 4.3 GaN光电阴极的表面净化 | 第63-67页 |
| 4.3.1 化学清洗和高温热清洗 | 第63-66页 |
| 4.3.2 GaN表面清洁程度的快速判别方法 | 第66-67页 |
| 4.4 反射式GaN光电阴极的激活 | 第67-74页 |
| 4.4.1 GaN基光电阴极激活工艺概述 | 第67-68页 |
| 4.4.2 不同Cs/O电流比对反射式GaN光电阴极激活效果的影响 | 第68-72页 |
| 4.4.3 单独Cs激活与Cs/O激活的比较 | 第72-74页 |
| 4.5 GaN光电阴极与GaAs光电阴极激活对比研究 | 第74-76页 |
| 4.6 本章小结 | 第76-77页 |
| 5 不同结构反射式GaN光电阴极的性能比较研究 | 第77-91页 |
| 5.1 引言 | 第77页 |
| 5.2 不同结构反射式GaN光电阴极激活比较研究 | 第77-85页 |
| 5.2.1 六种样品的量子效率对比研究 | 第77-79页 |
| 5.2.2 梯度掺杂与均匀掺杂GaN光电阴极量子效率对比研究 | 第79-83页 |
| 5.2.3 梯度掺杂与变Al组分GaN光电阴极的对比研究 | 第83-85页 |
| 5.3 结构优化前后GaN光电阴极稳定性比较研究 | 第85-87页 |
| 5.4 补铯激活过程以及补铯对量子效率恢复的影响 | 第87-89页 |
| 5.5 本章小结 | 第89-91页 |
| 6 AlGaN光电阴极的结构设计与制备 | 第91-105页 |
| 6.1 引言 | 第91-92页 |
| 6.2 均匀掺杂AlGaN光电阴极的结构设计 | 第92-94页 |
| 6.2.1 "日盲"区对应的Al含量的设计 | 第92-93页 |
| 6.2.2 电子发射层厚度设计 | 第93-94页 |
| 6.3 反射式均匀掺杂Al_(0.24)Ga_(0.76)N光电阴极的制备 | 第94-96页 |
| 6.3.1 反射式均匀掺杂Al_(0.24)Ga_(0.76)N光电阴极的表面净化和Cs/O激活 | 第94-95页 |
| 6.3.2 光谱响应结果及分析 | 第95-96页 |
| 6.4 梯度能带结构AlGaN光电阴极的材料表征和表面净化 | 第96-104页 |
| 6.4.1 梯度能带结构AlGaN光电阴极的材料表征 | 第97-101页 |
| 6.4.2 梯度能带结构AlGaN材料的表面净化 | 第101-102页 |
| 6.4.3 梯度能带结构AlGaN光电阴极的量子效率特性 | 第102-104页 |
| 6.5 本章小结 | 第104-105页 |
| 7 结论 | 第105-109页 |
| 7.1 本文工作总结 | 第105-107页 |
| 7.2 本文的创新点 | 第107-108页 |
| 7.3 有待进一步解决的问题 | 第108-109页 |
| 致谢 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-122页 |
| 附录 | 第122-124页 |
